BUK4D16-20是Nexperia(原飛利浦半導體)生�(chǎn)的一款高壓MOSFET晶體�,采用TO-263封裝形式。該器件適用于高頻開關電�、DC-DC轉換器和電機驅動等應用領域。它具有低導通電�、高擊穿電壓以及快速開關速度等特�,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定工��
BUK4D16-20是一款N溝道增強型MOSFET,其典型特性包括低柵極電荷、優(yōu)化的熱性能以及出色的效率表�(xiàn)。這些特點使得它在功率轉換應用中表�(xiàn)出色�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�3.8A
導通電阻(典型值)�0.7Ω
總柵極電荷:30nC
輸入電容�980pF
功耗:16W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
BUK4D16-20具有以下顯著特性:
1. 高擊穿電壓(650V),使其適合用于高壓�(huán)境下的功率轉換應��
2. 低導通電阻(典型值為0.7Ω�,可以降低傳導損�,提高系�(tǒng)效率�
3. 快速開關速度,得益于其低柵極電荷設計,可減少開關損��
4. TO-263封裝具備良好的散熱性能,能夠適應高功率密度場景�
5. 寬泛的工作溫度范圍(-55℃至+150℃),確保了在極端條件下的可靠��
6. 與傳�(tǒng)雙極型晶體管相比,BUK4D16-20不需要復雜的驅動電路,簡化了設計流程�
7. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全可靠�
BUK4D16-20主要應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的功率開關元件�
2. DC-DC轉換�,特別是反激式和正激式拓撲結��
3. 電機驅動電路中的功率級控制�
4. 能量回收系統(tǒng)及逆變器模��
5. 工業(yè)自動化設備中的功率控制部��
6. 各種家電�(chǎn)品內的高壓開關組件�
7. LED驅動器和其他需要高效功率管理的場合�
IRF640N, STP36NF06L, FQP18N60C