BUK4D60-30 是一款由安森美(ON Semiconductor)生�(chǎn)的N溝道功率MOSFET,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠在高頻�(yīng)用中提供�(yōu)異的性能�
型號(hào):BUK4D60-30
類型:N溝道MOSFET
最大漏源電壓Vds�60V
最大柵源電壓Vgs:�20V
最大連續(xù)漏極電流Id�30A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�1.8mΩ(典型�,Vgs=10V�(shí)�
總功耗Ptot�95W
工作�(jié)溫范圍Tj�-55°C�175°C
封裝形式:TO-220
電容參數(shù):輸入電容Ciss=2000pF,輸出電容Coss=250pF,反向傳輸電容Crss=100pF
BUK4D60-30 的主要特性包括:
1. 高效性:得益于其極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在大電流應(yīng)用中能夠顯著降低傳導(dǎo)損��
2. 快速開(kāi)�(guān)能力:具有較低的柵極電荷和反向傳輸電�,使得開(kāi)�(guān)速度更快,從而減少開(kāi)�(guān)損耗�
3. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):支持高�(dá)175°C的工作結(jié)�,確保在惡劣�(huán)境下仍能可靠�(yùn)��
4. �(qiáng)大的電流承載能力:額定電流高�(dá)30A,適用于多種高功率場(chǎng)��
5. 封裝�(yōu)�(shì):采用標(biāo)�(zhǔn)TO-220封裝,便于散熱設(shè)�(jì)與安�,同�(shí)兼容傳統(tǒng)焊接工藝�
這些特性共同使� BUK4D60-30 成為工業(yè)控制、汽車電子以及消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的理想選��
BUK4D60-30 常用于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):作為主開(kāi)�(guān)管或同步整流元件�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于無(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)和步�(jìn)電機(jī)的控制電路�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器:實(shí)�(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換功��
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS):用作保護(hù)電路中的�(guān)鍵元��
5. 其他高功率應(yīng)用場(chǎng)景:如太�(yáng)能逆變器、LED�(qū)�(dòng)器等�
憑借其出色的性能和可靠�,該器件能夠滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和小型化的需��
IRFZ44N, FDP55N06L