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BUK4D60-30 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/7 13:10:48 查看 閱讀:30

BUK4D60-30 是一款由安森美(ON Semiconductor)生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),能夠在高頻應(yīng)用中提供優(yōu)異的性能。

參數(shù)

型號(hào):BUK4D60-30
  類型:N溝道MOSFET
  最大漏源電壓Vds:60V
  最大柵源電壓Vgs:±20V
  最大連續(xù)漏極電流Id:30A
  導(dǎo)通電阻Rds(on):1.8mΩ(典型值,Vgs=10V時(shí))
  總功耗Ptot:95W
  工作結(jié)溫范圍Tj:-55°C至175°C
  封裝形式:TO-220
  電容參數(shù):輸入電容Ciss=2000pF,輸出電容Coss=250pF,反向傳輸電容Crss=100pF

特性

BUK4D60-30 的主要特性包括:
  1. 高效性:得益于其極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在大電流應(yīng)用中能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗。
  2. 快速開(kāi)關(guān)能力:具有較低的柵極電荷和反向傳輸電容,使得開(kāi)關(guān)速度更快,從而減少開(kāi)關(guān)損耗。
  3. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):支持高達(dá)175°C的工作結(jié)溫,確保在惡劣環(huán)境下仍能可靠運(yùn)行。
  4. 強(qiáng)大的電流承載能力:額定電流高達(dá)30A,適用于多種高功率場(chǎng)景。
  5. 封裝優(yōu)勢(shì):采用標(biāo)準(zhǔn)TO-220封裝,便于散熱設(shè)計(jì)與安裝,同時(shí)兼容傳統(tǒng)焊接工藝。
  這些特性共同使得 BUK4D60-30 成為工業(yè)控制、汽車電子以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的理想選擇。

應(yīng)用

BUK4D60-30 常用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS):作為主開(kāi)關(guān)管或同步整流元件。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):用于無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)和步進(jìn)電機(jī)的控制電路。
  3. DC-DC轉(zhuǎn)換器:實(shí)現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換功能。
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS):用作保護(hù)電路中的關(guān)鍵元件。
  5. 其他高功率應(yīng)用場(chǎng)景:如太陽(yáng)能逆變器、LED驅(qū)動(dòng)器等。
  憑借其出色的性能和可靠性,該器件能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和小型化的需求。

替代型號(hào)

IRFZ44N, FDP55N06L

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