BUK7535-55A是由安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)制造的N溝道功率MOSFET。該器件專為需要高效能和高可靠性的應(yīng)用設(shè)計(jì),廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)控制、消費(fèi)電子設(shè)備等。它采用了先進(jìn)的制造工藝,確保了低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性。
這款MOSFET的最大特點(diǎn)在于其出色的熱性能和電氣性能。它可以在較寬的工作溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,并且具有良好的抗干擾能力。此外,它還具有較低的柵極電荷,這有助于提高系統(tǒng)的整體效率。
最大漏源電壓(VDS):55V
最大柵源電壓(VGS):±20V
連續(xù)漏極電流(ID):48A
脈沖漏極電流(Ipulsedraincurrent):150A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)):4.5mΩ (典型值,在VGS=10V時(shí))
柵極電荷(Qg):70nC (最大值)
結(jié)溫范圍(TJ):-55℃至+175℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻:在相同的封裝條件下,BUK7535-55A的導(dǎo)通電阻非常低,僅為4.5毫歐姆,這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下產(chǎn)生的熱量更少,從而提高了工作效率。
2. 快速開關(guān)速度:由于柵極電荷較小,BUK7535-55A能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開關(guān)切換,減少了開關(guān)損耗,進(jìn)一步提升了轉(zhuǎn)換效率。
3. 高耐壓和大電流承載能力:可以承受高達(dá)55伏特的漏源電壓,同時(shí)支持最高48安培的連續(xù)電流,使得它適合于各種高功率應(yīng)用場(chǎng)景。
4. 寬廣的工作溫度范圍:能在從-55°C到+175°C的極端環(huán)境下正常運(yùn)行,保證了產(chǎn)品在惡劣環(huán)境中的穩(wěn)定性。
5. 強(qiáng)大的ESD保護(hù)功能:內(nèi)置靜電放電保護(hù)電路,有效防止因意外靜電沖擊而造成的損壞。
6. 緊湊型封裝:采用TO-220封裝形式,既節(jié)省空間又便于安裝散熱片,有利于熱量散發(fā)。
7. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn):不含鉛等有害物質(zhì),符合環(huán)保要求。
1. 開關(guān)模式電源(SMPS):用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC適配器中作為主控開關(guān)元件。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):適用于無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)控制器、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等場(chǎng)合。
3. 工業(yè)自動(dòng)化:包括PLC控制系統(tǒng)、伺服系統(tǒng)內(nèi)的功率級(jí)部分。
4. 消費(fèi)電子產(chǎn)品:如筆記本電腦充電器、平板電腦電源適配器內(nèi)部的關(guān)鍵組件。
5. 汽車電子:可用于車載逆變器、LED照明驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。
6. 太陽(yáng)能光伏系統(tǒng):參與太陽(yáng)能電池板的最大功率點(diǎn)跟蹤(MPPT)控制器的設(shè)計(jì)。
- FDP55N06L:由Fairchild生產(chǎn)的類似規(guī)格的N溝道MOSFET,具備相近的電氣參數(shù)和封裝方式。
- IRF540N:國(guó)際整流器公司(International Rectifier)的產(chǎn)品,雖然額定電壓稍低但電流容量更大。
- STP55NF06L:意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的同類型號(hào),擁有類似的性能指標(biāo)和封裝尺寸。
請(qǐng)注意,選擇替代品時(shí)需考慮實(shí)際電路設(shè)計(jì)的要求以及供應(yīng)商提供的最新數(shù)據(jù)表以確保兼容性和可靠性。