BUK954R8-60E 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件屬于 OptiMOS 系列,專為高效率和高性能的應(yīng)用場景設(shè)�(jì)。其額定電壓� 60V,適用于廣泛的工�(yè)和消�(fèi)類電子應(yīng)�,包括開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�
OptiMOS 技�(shù)使得� MOSFET 在導(dǎo)通電阻、開�(guān)速度以及熱性能方面表現(xiàn)出色,從而能夠有效降低功率損耗并提高整體系統(tǒng)效率。這款器件采用 TO-263-3 封裝形式,具備出色的散熱能力和堅(jiān)固耐用的機(jī)械特��
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵極源極電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):27A(@25°C�
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.8mΩ(典型�,@Vgs=10V�
總柵極電荷(Qg):57nC(典型值)
輸入電容(Ciss):2950pF(典型值)
開關(guān)�(shí)間:ton=18ns(典型值),toff=32ns(典型值)
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
1. 超低�(dǎo)通電阻(Rds(on)):BUK954R8-60E 的導(dǎo)通電阻僅� 3.8mΩ(典型值),能夠在高電流應(yīng)用中顯著降低傳導(dǎo)損耗,提升效率�
2. 高效開關(guān)性能:該器件具有非常低的總柵極電荷(Qg),可以�(shí)�(xiàn)快速開�(guān),從而減少開�(guān)損�,并適合高頻�(yīng)用場��
3. �(qiáng)大的熱性能:得益于� TO-263-3 封裝,BUK954R8-60E 提供了良好的散熱能力,即使在高功率條件下也能保持�(wěn)定運(yùn)��
4. 廣泛的工作溫度范圍:� MOSFET 支持� -55°C � +175°C 的寬溫范�,非常適合各種嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)��
5. �(jiān)固耐用的設(shè)�(jì):器件具有較高的雪崩能力� ESD 耐受�,增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠性和魯棒��
1. 開關(guān)電源(SMPS):包括 AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器,用于筆記本電腦適配�、服�(wù)器電源等�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于無刷直流電�(jī)(BLDC)控�、風(fēng)扇驅(qū)�(dòng)以及其他需要高效功率管理的電機(jī)�(yīng)��
3. 工業(yè)自動(dòng)化:例如可編程邏輯控制器(PLC�、伺服驅(qū)�(dòng)器和逆變器�
4. 汽車電子:如電動(dòng)助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)(EPS�、制�(dòng)系統(tǒng)和車載充電器�
5. 其他�(fù)載切換和保護(hù)電路:如電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開�(guān)或保�(hù)電路�
1. IRFZ44N:這是一款經(jīng)典的 N 溝道 MOSFET,雖然其�(dǎo)通電阻較高(� 18mΩ),但在某些低功耗應(yīng)用中仍可作為替代選擇�
2. FDP5800:來� Fairchild(現(xiàn)� ON Semiconductor)的�(chǎn)品,具有類似的額定電壓和更低的導(dǎo)通電阻(2.6mΩ 典型值),但可能需要重新設(shè)�(jì) PCB 以適�(yīng)不同的封裝形��
3. AO3400:一款小型表面貼� MOSFET,適合空間受限的�(yīng)用場�,不過其電流處理能力較低(僅 17A��