BUK98150-55 是一款由安森美(onsemi)生�(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特點,適用于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。其封裝形式� TO-263(D2PAK�,使其能夠處理較高的電流并具備良好的散熱性能。這款 MOSFET 常用� DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開�(guān)等場景�
最大漏源電壓:55V
連續(xù)漏極電流�47A
�(dǎo)通電阻(典型值)�2.8mΩ
柵極電荷�105nC
輸入電容�2040pF
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
1. **低導(dǎo)通電�**:典型值僅� 2.8mΩ,可顯著降低功率損�,提高系�(tǒng)效率�
2. **高電流承載能�**:連續(xù)漏極電流可達 47A,適合高功率�(yīng)用場��
3. **快速開�(guān)性能**:較低的柵極電荷�105nC)使得該 MOSFET 具備更快的開�(guān)速度,從而減少開�(guān)損��
4. **寬工作溫度范�**:支持從 -55°C � +175°C 的工作溫度,確保在極端環(huán)境下的可靠運��
5. **高可靠�**:通過�(yōu)化的封裝�(shè)計和制造工藝,保證了器件在長時間使用中的穩(wěn)定��
1. **功率�(zhuǎn)�**:如 DC-DC �(zhuǎn)換器、AC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
2. **電機�(qū)�**:用于控制直流無刷電機(BLDC�、步進電機等的驅(qū)動電��
3. **負載開關(guān)**:實�(xiàn)電源通斷控制,保護后級電路免受過載或短路影響�
4. **電池管理**:適用于電動�、儲能系�(tǒng)等場景中的電池充放電控制�
5. **工業(yè)自動�**:用作各類工�(yè)�(shè)備中的功率開�(guān)元件�
1. **IRFB3207**:由 Vishay 生產(chǎn),具有類似的�(dǎo)通電阻和電流承載能力,但封裝形式� TO-247�
2. **STP120NF06L**:來自意法半�(dǎo)體(STMicroelectronics),額定電壓� 60V,導(dǎo)通電阻稍�,但封裝兼容 TO-263�
3. **FDP16N50**:Fairchild(現(xiàn)� ON Semiconductor)的�(chǎn)�,雖然額定電壓更高(50V),但在某些�(yīng)用中可以作為替代選擇�
注意:在選擇替代型號時,請務(wù)必確認其電氣參數(shù)和封裝形式是否完全滿足實際需�,并進行充分測試以確保兼容性�