BUK98150-55 是一款由安森美(onsemi)生產(chǎn)的 N 溝道增強型 MOSFET。該器件采用先進的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點,適用于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其封裝形式為 TO-263(D2PAK),使其能夠處理較高的電流并具備良好的散熱性能。這款 MOSFET 常用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開關(guān)等場景。
最大漏源電壓:55V
連續(xù)漏極電流:47A
導(dǎo)通電阻(典型值):2.8mΩ
柵極電荷:105nC
輸入電容:2040pF
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
1. **低導(dǎo)通電阻**:典型值僅為 2.8mΩ,可顯著降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率。
2. **高電流承載能力**:連續(xù)漏極電流可達 47A,適合高功率應(yīng)用場合。
3. **快速開關(guān)性能**:較低的柵極電荷(105nC)使得該 MOSFET 具備更快的開關(guān)速度,從而減少開關(guān)損耗。
4. **寬工作溫度范圍**:支持從 -55°C 到 +175°C 的工作溫度,確保在極端環(huán)境下的可靠運行。
5. **高可靠性**:通過優(yōu)化的封裝設(shè)計和制造工藝,保證了器件在長時間使用中的穩(wěn)定性。
1. **功率轉(zhuǎn)換**:如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、AC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流。
2. **電機驅(qū)動**:用于控制直流無刷電機(BLDC)、步進電機等的驅(qū)動電路。
3. **負載開關(guān)**:實現(xiàn)電源通斷控制,保護后級電路免受過載或短路影響。
4. **電池管理**:適用于電動車、儲能系統(tǒng)等場景中的電池充放電控制。
5. **工業(yè)自動化**:用作各類工業(yè)設(shè)備中的功率開關(guān)元件。
1. **IRFB3207**:由 Vishay 生產(chǎn),具有類似的導(dǎo)通電阻和電流承載能力,但封裝形式為 TO-247。
2. **STP120NF06L**:來自意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics),額定電壓為 60V,導(dǎo)通電阻稍高,但封裝兼容 TO-263。
3. **FDP16N50**:Fairchild(現(xiàn)為 ON Semiconductor)的產(chǎn)品,雖然額定電壓更高(50V),但在某些應(yīng)用中可以作為替代選擇。
注意:在選擇替代型號時,請務(wù)必確認其電氣參數(shù)和封裝形式是否完全滿足實際需求,并進行充分測試以確保兼容性。