時間：2025/3/20 9:33:10
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BUK98150-55 是一款由安森美（onsemi）生產(chǎn)的 N 溝道增強型 MOSFET。該器件采用先進的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點，適用于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其封裝形式為 TO-263（D2PAK），使其能夠處理較高的電流并具備良好的散熱性能。這款 MOSFET 常用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開關(guān)等場景。
最大漏源電壓：55V
連續(xù)漏極電流：47A
導(dǎo)通電阻（典型值）：2.8mΩ
柵極電荷：105nC
輸入電容：2040pF
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
1. **低導(dǎo)通電阻**：典型值僅為 2.8mΩ，可顯著降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. **高電流承載能力**：連續(xù)漏極電流可達 47A，適合高功率應(yīng)用場合。
3. **快速開關(guān)性能**：較低的柵極電荷（105nC）使得該 MOSFET 具備更快的開關(guān)速度，從而減少開關(guān)損耗。
4. **寬工作溫度范圍**：支持從 -55°C 到 +175°C 的工作溫度，確保在極端環(huán)境下的可靠運行。
5. **高可靠性**：通過優(yōu)化的封裝設(shè)計和制造工藝，保證了器件在長時間使用中的穩(wěn)定性。
1. **功率轉(zhuǎn)換**：如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、AC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流。
2. **電機驅(qū)動**：用于控制直流無刷電機（BLDC）、步進電機等的驅(qū)動電路。
3. **負載開關(guān)**：實現(xiàn)電源通斷控制，保護后級電路免受過載或短路影響。
4. **電池管理**：適用于電動車、儲能系統(tǒng)等場景中的電池充放電控制。
5. **工業(yè)自動化**：用作各類工業(yè)設(shè)備中的功率開關(guān)元件。
1. **IRFB3207**：由 Vishay 生產(chǎn)，具有類似的導(dǎo)通電阻和電流承載能力，但封裝形式為 TO-247。
2. **STP120NF06L**：來自意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics），額定電壓為 60V，導(dǎo)通電阻稍高，但封裝兼容 TO-263。
3. **FDP16N50**：Fairchild（現(xiàn)為 ON Semiconductor）的產(chǎn)品，雖然額定電壓更高（50V），但在某些應(yīng)用中可以作為替代選擇。
注意：在選擇替代型號時，請務(wù)必確認其電氣參數(shù)和封裝形式是否完全滿足實際需求，并進行充分測試以確保兼容性。
