BUK9Y1R3-40HX 是一款由安森美(ON Semiconductor)生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET,采用TO-263封裝形式。該器件主要用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)合。其高效率和低導(dǎo)通電阻的特性使其在功率管理領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
BUK9Y1R3-40HX通過優(yōu)化的半導(dǎo)體制造工藝,具備較低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,從而有效降低傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗,提高了系統(tǒng)整體效率。
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流:7.5A
導(dǎo)通電阻:1.3mΩ
柵極電荷:29nC
總電容:135pF
工作溫度范圍:-55℃ to 150℃
BUK9Y1R3-40HX 具有非常低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),這有助于減少導(dǎo)通時(shí)的功耗。此外,它還具有較快的開關(guān)速度,能夠支持高頻操作。該器件采用了先進(jìn)的制程技術(shù),在確保性能的同時(shí)也提供了良好的熱穩(wěn)定性。
此款MOSFET擁有較高的雪崩擊穿能力,能夠在過載條件下提供一定的保護(hù)功能。同時(shí),由于采用了TO-263封裝,因此散熱性能良好,便于安裝和使用。
BUK9Y1R3-40HX 的開關(guān)特性使其適用于各種高頻開關(guān)應(yīng)用,例如降壓型轉(zhuǎn)換器和同步整流電路。此外,它的低柵極電荷設(shè)計(jì)進(jìn)一步降低了開關(guān)過程中的能量損失,從而提升了系統(tǒng)的整體效率。
BUK9Y1R3-40HX 廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場(chǎng)景中。具體包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
3. 同步整流電路
4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理模塊
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制部分
這些應(yīng)用都依賴于BUK9Y1R3-40HX出色的電氣性能和可靠性,以實(shí)現(xiàn)高效的功率傳輸和控制。
IRLB8721PBF
STP10NK06Z
AO3400