時間�2025/5/8 18:44:56
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BUK9Y40-55B 是一款由安森美（ON Semiconductor）推出的N溝道功率MOSFET。該器件采用了先進的制造工�，能夠提供低導通電阻和高開關速度的特性，適合用于各種高效能開關應用中。其封裝形式為TO-263 (DPAK)，有助于提高散熱性能并簡化設計布局�
這款MOSFET主要針對需要高性能、低損耗的電源管理場合設計，例如DC-DC轉換�、負載開�、電機驅動等�
最大漏源電壓：55V
連續(xù)漏極電流�47A
導通電阻（Rds(on)）：1.15mΩ（典型值，在Vgs=10V時）
柵極電荷�48nC（典型值）
輸入電容�1900pF（典型值）
總功耗：175W
工作溫度范圍�-55°C�175°C
BUK9Y40-55B具備以下關鍵特性：
1. 極低的導通電阻（Rds(on)�，可顯著降低傳導損��
2. 快速開關性能，適合高頻開關應��
3. 高雪崩能�，增強了器件在過載或短路條件下的耐用��
4. 采用TO-263封裝，具有良好的熱性能和電氣性能�
5. 符合RoHS標準，綠色環(huán)��
這些特性使該器件非常適合于要求高效率和高可靠性的應用�(huán)��
BUK9Y40-55B廣泛應用于多種領�，包括但不限于以下方面：
1. 開關模式電源（SMPS）中的功率轉換�
2. DC-DC轉換器和降壓/升壓電路�
3. 負載開關和保護電��
4. 電機驅動和逆變器控��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的大電流開關�
由于其出色的電氣特性和熱性能，該器件特別適用于對效率和可靠性要求較高的場景�
IRLB8749PBF, FDP5560
