BZG03C10是一種用于高頻射頻應用的砷化鎵(GaAs)場效應晶體管(FET�,專為低噪聲放大器設�。該器件采用了先進的GaAs工藝制�,具有高增益、低噪聲系數(shù)和良好的線性度特�。其典型工作頻率范圍涵蓋DC到約12GHz,適用于無線通信系統(tǒng)中的射頻前端模塊、衛(wèi)星接收設備以及測試測量儀器等領域�
型號:BZG03C10
類型:N溝道場效應晶體管(FET�
材料:砷化鎵(GaAS�
最大漏源電�(Vds)�6V
最大柵源電�(Vgs):�4V
漏極飽和電流(Idss)�5mA
截止頻率(fT):超�10GHz
增益:大�12dB
噪聲系數(shù):小�1dB
封裝形式:SOT-343
BZG03C10的主要特點包括:
1. 高增益性能,使其非常適合用作射頻信號鏈中的第一級放大器�
2. 低噪聲系�(shù),確保在高頻下仍能提供清晰的信號處理能力�
3. 寬帶寬支�,覆蓋從直流到高�12GHz的工作頻率范��
4. �(yōu)異的線性度表現(xiàn),減少了失真并提高了系統(tǒng)的整體動�(tài)范圍�
5. 小型化的SOT-343封裝有助于節(jié)省PCB空間,并便于安裝與集成�
6. �(wěn)定可�,在各種�(huán)境條件下均表�(xiàn)出色�
BZG03C10廣泛應用于以下領域:
1. 射頻和微波通信系統(tǒng)的低噪聲放大器(LNA��
2. �(wèi)星通信及廣播接收設備中的前端放大電��
3. 雷達系統(tǒng)和電子對抗裝置中的信號增強組件�
4. 測試與測量儀器中需要高精度和高靈敏度的射頻模塊�
5. 無線局域網(wǎng)(WLAN�、蜂窩基站以及其他寬帶通信基礎設施中的關鍵元器件�
BZG05C10
BZG03D10
ATF-54143