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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > C3M0065090J

C3M0065090J 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/21 23:43:33 查看 閱讀�21

C3M0065090J 是一款由 Wolfspeed(原 Cree)生�(chǎn)的碳化硅 (SiC) MOSFET。該器件具有高效�、高頻開�(guān)能力以及出色的熱性能,適用于各種工業(yè)和汽車應(yīng)用中的功率轉(zhuǎn)換系�(tǒng)�
  這種 SiC MOSFET 的主要特�(diǎn)包括低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高耐壓能力,從而提高了功率密度并降低了系統(tǒng)的整體損��

參數(shù)

額定電壓�900V
  額定電流�65A
  �(dǎo)通電阻:70mΩ
  柵極電荷�45nC
  輸入電容�1280pF
  反向恢復(fù)�(shí)間:�(wú)反向恢復(fù)電荷
  最大工作結(jié)溫:175°C
  封裝類型:TO-247-4

特�

C3M0065090J 屬于 Wolfspeed 第三� C 系列 SiC MOSFET �(chǎn)品線,其�(shè)�(jì)旨在�(yōu)化高頻和高效率操�。它具備以下顯著特點(diǎn)�
  1. 高耐壓能力�900V 的額定電壓使其適合高壓應(yīng)用環(huán)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:� 70mΩ 的導(dǎo)通電阻確保了較低的傳�(dǎo)損��
  3. 快速開�(guān)性能:得益于其超低的柵極電荷和輸出電�,能�?qū)崿F(xiàn)高頻開關(guān)操作�
  4. �(wú)反向恢復(fù)電荷:消除了與傳�(tǒng)硅基 IGBT 或二極管相關(guān)的反向恢�(fù)損耗,�(jìn)一步提升效��
  5. 高工作溫度:支持高達(dá) 175°C 的最大工作結(jié)溫,增強(qiáng)了系�(tǒng)的可靠性和適應(yīng)性�
  6. 四腳封裝:TO-247-4 封裝提供額外的開爾文源極連接選項(xiàng),有助于減少寄生電感�(duì)高速開�(guān)的影��

�(yīng)�

C3M0065090J 廣泛�(yīng)用于需要高效率和高功率密度的場(chǎng)合,具體包括但不限于�
  1. 太陽(yáng)能逆變�
  2. 電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)�(shè)施(如直流快充樁�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制
  4. 不間斷電� (UPS)
  5. 工業(yè) DC-DC �(zhuǎn)換器
  6. �(fēng)力發(fā)電變流器
  由于其出色的性能,這款 SiC MOSFET 成為許多高壓高頻�(yīng)用場(chǎng)景的理想選擇�

替代型號(hào)

C3M0065120K, C4D0120090, FGH15N90SMD

c3m0065090j推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

c3m0065090j�(chǎn)�

c3m0065090j參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�4,578�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �129.42000管件
  • 系列C3M?
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)SiCFET(碳化硅�
  • 漏源電壓(Vdss�900 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)35A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�15V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)78 毫歐 @ 20A�15V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.1V @ 5mA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)30 nC @ 15 V
  • Vgs(最大值)+19V�-8V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)660 pF @ 600 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)113W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�TO-263-7
  • 封裝/外殼TO-263-8,D2Pak�7 引線+接片�,TO-263CA