CBG160808U271T 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,適用于高頻和高效率的電力電子應(yīng)用。該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù)以優(yōu)化散熱性能,并且能夠顯著提高開�(guān)頻率和降低導(dǎo)通損�。其典型�(yīng)用場景包括電源適配器、快充設(shè)備、無線充電模塊以及DC-DC�(zhuǎn)換器�。由于其卓越的性能表現(xiàn),CBG160808U271T 成為新一代高頻高效電源設(shè)�(jì)的理想選��
該芯片集成了�(qū)�(dòng)電路與保�(hù)功能,從而減少了外圍元件�(shù)量并提高了系�(tǒng)可靠�。同�(shí),它支持高達(dá)100V的工作電壓范�,具有較低的�(dǎo)通電阻,使得其在輕載和滿載條件下均能保持較高的轉(zhuǎn)換效��
型號(hào):CBG160808U271T
類型:增�(qiáng)型氮化鎵場效�(yīng)晶體管(eGaN FET�
最大漏源電壓:100V
最大連續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):27mΩ
柵極閾值電壓:1.5V~3.5V
工作溫度范圍�-40℃~+125�
封裝形式:DFN8�3mm x 3mm�
開關(guān)頻率:支持高�(dá)5MHz
CBG160808U271T 具備以下顯著特點(diǎn)�
1. 氮化鎵材料的�(yīng)用使其能夠在高頻下實(shí)�(xiàn)更低的開�(guān)損耗和�(dǎo)通損�,從而提升整體效��
2. �(nèi)置驅(qū)�(dòng)電路簡化了設(shè)�(jì)流程,同�(shí)減少了對(duì)外部�(qū)�(dòng)IC的需求�
3. 支持快速瞬�(tài)響應(yīng),非常適合用于USB PD快充和其他動(dòng)�(tài)�(fù)載環(huán)��
4. 提供全面的保�(hù)功能,如過流保護(hù)(OCP�、過溫保�(hù)(OTP)和短路保護(hù)(SCP),確保在異常情況下�(shè)備的安全�(yùn)��
5. 小型化的DFN8封裝節(jié)省了PCB空間,有助于開發(fā)緊湊型產(chǎn)��
6. 高效散熱�(shè)�(jì)使芯片能夠在高功率密度條件下長期�(wěn)定工作�
CBG160808U271T 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. USB-PD快充頭及便攜式電源適配器�
2. 高頻DC-DC�(zhuǎn)換器,特別是那些需要小體積和高效能的設(shè)�(jì)�
3. 工業(yè)用AC-DC電源模塊,例如服�(wù)器電源或通信�(shè)備電��
4. 無線充電�(fā)射端和接收端的功率傳輸電��
5. LED�(qū)�(dòng)器中的同步整流部��
6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電池管理系�(tǒng)(BMS)和能量回收單元�
這款芯片憑借其高性能指標(biāo)和靈活的適用�,成為眾多現(xiàn)代電子設(shè)備的核心組件�
CBG160808U251T
NV6115
TPS2559