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CBG321609U122T 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 9:33:44 查看 閱讀�26

CBG321609U122T 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效率功率晶體�,屬于增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體� (e-mode HEMT)。該器件適用于高頻開�(guān)和高功率密度�(yīng)用場(chǎng)�,提供低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的性能特點(diǎn)。其�(shè)�(jì)旨在滿足電源�(zhuǎn)換系�(tǒng)中對(duì)更高效率、更小尺寸以及更輕重量的需��
  CBG321609U122T 的封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型表面貼裝封裝,具有良好的散熱特性和電氣�(wěn)定�,適合廣泛應(yīng)用于工業(yè)、消�(fèi)電子和通信�(lǐng)��

參數(shù)

額定電壓�650V
  額定電流�16A
  �(dǎo)通電阻:122mΩ
  柵極電荷�40nC
  輸入電容�1150pF
  輸出電容�75pF
  反向恢復(fù)�(shí)間:�(wú)(因 GaN 器件本身特性)
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

CBG321609U122T 采用先�(jìn)的氮化鎵技�(shù),具備以下突出特性:
  1. 高開�(guān)頻率支持,可顯著減小磁性元件體積并提高功率密度�
  2. 極低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷,有助于降低�(dǎo)通損耗和開關(guān)損��
  3. 熱阻較低,能夠承受較高結(jié)�,從而提升系�(tǒng)的可靠性和耐用性�
  4. �(nèi)� ESD 保護(hù)�(jī)制以防止靜電損壞,增�(qiáng)�(shí)際使用中的抗干擾能力�
  5. 支持�(jiǎn)單的�(qū)�(dòng)電路�(shè)�(jì),兼容標(biāo)�(zhǔn)邏輯電平信號(hào)控制�
  此外,該器件還擁有非常低的寄生電�,這對(duì)于高頻應(yīng)用尤為重��

�(yīng)�

CBG321609U122T 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS),包� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 充電器及適配�,如 USB-PD 快充�(shè)��
  3. LED �(qū)�(dòng)器和太陽(yáng)能微型逆變��
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)�
  5. �(wú)線充電器和其他需要高效功率傳�?shù)�?yīng)用場(chǎng)景�
  由于其卓越的高頻特性和高效能量�(zhuǎn)換能�,這款芯片在許多現(xiàn)代電力電子設(shè)備中表現(xiàn)出色�

替代型號(hào)

CBG321609U100T, CBG321609U150T, TPH3202WS

cbg321609u122t推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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