CBG321609U301T是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率轉(zhuǎn)換芯�,主要用于高頻率開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用。該芯片�(jié)合了先�(jìn)的GaN晶體管與�(yōu)化的�(qū)�(dòng)電路,能夠顯著提升功率密度并降低系統(tǒng)損耗�
這款芯片采用小型化的QFN封裝形式,具備出色的熱性能和電氣特性,同時(shí)簡化了設(shè)�(jì)�(fù)雜度,適用于需要高效率和高功率密度的場(chǎng)��
型號(hào):CBG321609U301T
封裝形式:QFN
額定電壓�650V
額定電流�9A
�(dǎo)通電阻:30mΩ
柵極電荷�70nC
工作溫度范圍�-55� to +150�
最大開�(guān)頻率�5MHz
CBG321609U301T的核心優(yōu)�(shì)在于其卓越的高頻性能和低�(dǎo)通電阻,這使得它非常適合用于硬開�(guān)和軟開關(guān)�?fù)浣Y(jié)�(gòu)�。其�(guān)鍵特性包括:
1. 超低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在9A條件下僅�30mΩ,降低了傳導(dǎo)損��
2. 極快的開�(guān)速度,支持高�(dá)5MHz的工作頻�,從而實(shí)�(xiàn)更小的磁性元件和更高的功率密度�
3. �(nèi)置保�(hù)功能,如過溫保護(hù)(OTP)和過流保護(hù)(OCP),增強(qiáng)了系�(tǒng)的可靠性和安全��
4. 使用增強(qiáng)型GaN技�(shù),提供比傳統(tǒng)硅基MOSFET更高的效率和更低的寄生電��
5. 小巧的QFN封裝形式,減少了PCB占用面積,并提高了散熱性能�
CBG321609U301T廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(Switching Power Supplies):包括AC-DC適配�、USB-PD充電器等�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器:用于服�(wù)�、通信�(shè)備及汽車電子中的高效電壓�(zhuǎn)換�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):特別是在無人機(jī)、電�(dòng)工具和家用電器中的無刷直流電�(jī)控制�
4. 快速充電器:憑借高頻特性,可縮小體積并提升充電效率�
5. 光伏逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng):提供高效的功率管理解決方案�
CGH321608U201T, CBG321609U201T