CBG321609U331T 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效率功率�(zhuǎn)換芯片,�(zhuān)為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的封裝工藝和增強(qiáng)� GaN 晶體管技�(shù),提供更高的功率密度和更低的�(kāi)�(guān)損耗,非常適合用于電源適配�、快充模塊以� DC-DC �(zhuǎn)換器等場(chǎng)景�
CBG321609U331T 集成了驅(qū)�(dòng)器和保護(hù)功能,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)并提高了可靠性。其卓越的熱性能和小型化封裝使其成為緊湊型電源解決方案的理想選擇�
型號(hào):CBG321609U331T
�(lèi)型:GaN 功率晶體�
額定電壓�650V
額定電流�9A
�(dǎo)通電阻:33mΩ
封裝形式:TO-252
工作溫度范圍�-40� � +150�
最大開(kāi)�(guān)頻率�5MHz
CBG321609U331T 具備以下顯著特性:
1. 高效的氮化鎵技�(shù):相比傳�(tǒng)硅基 MOSFET,CBG321609U331T 提供更低的導(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)損�,從而提升整體系�(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力:支持高�(dá) 5MHz 的開(kāi)�(guān)頻率,使得設(shè)�(jì)師能夠使用更小的磁性元件,�(jìn)一步減小產(chǎn)品尺��
3. �(nèi)置保�(hù)功能:集成了�(guò)流保�(hù)、短路保�(hù)和過(guò)溫保�(hù),增�(qiáng)了系�(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性�
4. �(jiǎn)化的外圍電路:由于其高集成度,用戶可以減少外部元件的�(shù)量,降低 BOM 成本�
5. 廣泛的工作溫度范圍:能夠在極端溫度環(huán)境下保持高性能,適用于工業(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(lǐng)��
CBG321609U331T 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. USB-PD 快速充電器:作為核心功率器�,支持高效的小型化快充設(shè)�(jì)�
2. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS):在 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換中�(fā)揮重要作�,提供高效率和高功率密度�
3. 工業(yè)電源:如通信電源、服�(wù)器電源和不間斷電� (UPS) 中的高頻功率�(zhuǎn)換�
4. LED �(qū)�(dòng)器:用于高亮� LED 照明系統(tǒng)的高效驅(qū)�(dòng)�
5. �(wú)線充電設(shè)備:助力�(shí)�(xiàn)快速且高效的無(wú)線能量傳��
CBG321609U330T, CBG321609U332T