CBG321609U601T 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的制造工藝和封裝技�(shù)�(shè)�,適用于高效率、高頻開�(guān)�(yīng)�。該芯片具備低導(dǎo)通電阻、快速開�(guān)特性和�(yōu)異的熱性能,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�、工�(yè)自動化等�(lǐng)��
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件,其優(yōu)化的�(jié)�(gòu)使其能夠在高頻工作條件下保持較低的損�,從而提高整體系�(tǒng)的效��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�16A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�18nC
開關(guān)速度:非常快
工作溫度范圍�-55� � 175�
CBG321609U601T 具備以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可顯著降低傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)特性,適合高頻操作�(huán)�,有效減少開�(guān)損��
3. 高雪崩能量能�,確保在異常工作條件下的可靠��
4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)芯片對靜電放電的耐受能力�
5. 緊湊型封裝設(shè)�,便� PCB 布局和散熱管��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛材料使��
CBG321609U601T 主要用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)動電路中的高效功率控制�
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切��
4. 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)電路�
5. 各類消費(fèi)電子�(chǎn)品中的電源管理模��
該芯片憑借其卓越的性能和可靠�,成為眾多高要求�(yīng)用場景的理想選擇�
IRFZ44N
STP16NF06L
FDP16N6S