CBG321609U900T 是一款高效率� GaN(氮化鎵)功率晶體管,采用先進的增強型場效應晶體管(eGaN FET)技術制造。該器件適用于高頻開關應�,能夠顯著提高電源轉換效率并減少系統(tǒng)尺寸。CBG321609U900T 的設計使其非常適合用� DC-DC 轉換�、圖騰柱 PFC、無線充電和激光雷達等應用領域�
由于其高電子遷移率和低導通電阻特�,CBG321609U900T 在高頻工作條件下表現(xiàn)出色,同時支持快速開關速度和低開關損�。此外,它具有良好的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運��
類型:增強型 GaN HEMT
封裝:UQFN8
最大漏源電� (Vds)�600 V
連續(xù)漏極電流 (Id)�9 A
柵極閾值電� (Vgs(th))�1.7 V � 3.5 V
導通電� (Rds(on))�90 mΩ(典型值,@Vgs=6V�
輸入電容 (Ciss)�485 pF
輸出電容 (Coss)�24 pF
反向傳輸電容 (Crss)�6.5 pF
開關頻率:高達數(shù) MHz
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
CBG321609U900T 提供了卓越的性能表現(xiàn),主要特性包括:
1. 高效的功率轉換能力,得益于其低導通電阻和低開關損��
2. 快速開關速度使得其非常適合高頻應用,從而減少了磁性元件的尺寸和重��
3. 增強型設計確保在正向柵極驅動下開�,并在零或負柵極驅動下可靠關閉�
4. 內置 ESD 保護功能增強了器件的可靠��
5. 小巧� UQFN8 封裝有助于簡� PCB 設計并節(jié)省空間�
6. 高溫操作能力提高了系�(tǒng)的整體穩(wěn)定性,特別適合工業(yè)和汽車環(huán)境下的應��
CBG321609U900T 廣泛應用于多種電力電子領域,具體包括�
1. 高頻 DC-DC 轉換�,例如服務器、通信設備和電動汽車中的電源模��
2. 圖騰柱功率因�(shù)校正(PFC),用于提高家電和工�(yè)設備的能源效��
3. 無線充電系統(tǒng),特別是需要高效能量傳�?shù)男⌒驮O��
4. 激光雷達(LiDAR)脈沖驅動,用于自動駕駛和機器人領域的精確測��
5. 光伏逆變器和其他可再生能源相關的功率轉換系統(tǒng)�
6. USB-PD 充電器和快充適配�,提供更小體積和更高效率的解決方案�
CBG321609U650T, TPH3202PS, GAN042-650WSA