CBM321609U801T是一款基于碳化硅(SiC)材料設(shè)計(jì)的功率MOSFET芯片,專為高頻、高效能和高耐壓應(yīng)用場(chǎng)景而優(yōu)化。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,能夠顯著提升電源轉(zhuǎn)換效率,同時(shí)減少系統(tǒng)中的熱損耗。CBM321609U801T適用于工業(yè)級(jí)和汽車級(jí)應(yīng)用領(lǐng)域,其封裝形式和電氣性能使其在惡劣環(huán)境下仍保持高度可靠性。
額定電壓:1200V
額定電流:40A
導(dǎo)通電阻:80mΩ
柵極電荷:75nC
反向恢復(fù)時(shí)間:50ns
工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
封裝類型:TO-247
CBM321609U801T采用了先進(jìn)的碳化硅技術(shù),具備卓越的熱性能和電氣性能。其主要特點(diǎn)包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有效降低傳導(dǎo)損耗。
2. 快速開(kāi)關(guān)能力,支持高頻操作,減少磁性元件體積。
3. 高溫工作能力,能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 內(nèi)置二極管無(wú)反向恢復(fù)電荷,進(jìn)一步提升效率。
5. 強(qiáng)大的抗浪涌能力和高可靠性的設(shè)計(jì),適用于嚴(yán)苛環(huán)境下的電力電子設(shè)備。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適合長(zhǎng)期使用。
CBM321609U801T廣泛應(yīng)用于需要高性能功率轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景,例如:
1. 太陽(yáng)能逆變器
2. 電動(dòng)汽車(EV)車載充電器
3. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
4. 不間斷電源(UPS)
5. 高效DC-DC轉(zhuǎn)換器
6. 快速充電適配器
7. 風(fēng)力發(fā)電變流器
CMF20120D, SCT3080K, FFC100R12W4_S4