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CBM321609U801T 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/20 20:03:26 查看 閱讀：19

CBM321609U801T是一款基于碳化硅（SiC）材料設(shè)計(jì)的功率MOSFET芯片，專為高頻、高效能和高耐壓應(yīng)用場(chǎng)景而優(yōu)化。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性，能夠顯著提升電源轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)減少系統(tǒng)中的熱損耗。CBM321609U801T適用于工業(yè)級(jí)和汽車級(jí)應(yīng)用領(lǐng)域，其封裝形式和電氣性能使其在惡劣環(huán)境下仍保持高度可靠性。

參數(shù)

額定電壓：1200V
　　額定電流：40A
　　導(dǎo)通電阻：80mΩ
　　柵極電荷：75nC
　　反向恢復(fù)時(shí)間：50ns
　　工作溫度范圍：-55℃ to +175℃
　　封裝類型：TO-247

特性

CBM321609U801T采用了先進(jìn)的碳化硅技術(shù)，具備卓越的熱性能和電氣性能。其主要特點(diǎn)包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，有效降低傳導(dǎo)損耗。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)能力，支持高頻操作，減少磁性元件體積。
　　3. 高溫工作能力，能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定運(yùn)行。
　　4. 內(nèi)置二極管無(wú)反向恢復(fù)電荷，進(jìn)一步提升效率。
　　5. 強(qiáng)大的抗浪涌能力和高可靠性的設(shè)計(jì)，適用于嚴(yán)苛環(huán)境下的電力電子設(shè)備。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適合長(zhǎng)期使用。

應(yīng)用

CBM321609U801T廣泛應(yīng)用于需要高性能功率轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景，例如：
　　1. 太陽(yáng)能逆變器
　　2. 電動(dòng)汽車（EV）車載充電器
　　3. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
　　4. 不間斷電源（UPS）
　　5. 高效DC-DC轉(zhuǎn)換器
　　6. 快速充電適配器
　　7. 風(fēng)力發(fā)電變流器

替代型號(hào)

CMF20120D, SCT3080K, FFC100R12W4_S4

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