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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CBR04C819B5GAC

CBR04C819B5GAC 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 13:06:24 查看 閱讀�9

CBR04C819B5GAC是一款高性能的射頻功率晶體管,主要用于無(wú)線通信�(lǐng)域中的射頻放大器�(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的LDMOS工藝制�,能夠在高頻段提供高效率和高增益的性能表現(xiàn)�
  這款晶體管適用于基站、雷�(dá)系統(tǒng)以及其他需要大功率輸出的應(yīng)用場(chǎng)�。其封裝形式為陶瓷氣密封�,具有良好的散熱性能和可靠性�

參數(shù)

型號(hào):CBR04C819B5GAC
  工作頻率范圍�700 MHz � 3 GHz
  輸出功率(P3dB):45 W
  增益�12 dB
  效率�60 %
  供電電壓�28 V
  最大漏極電流:7.5 A
  封裝形式:陶瓷氣密TO-247
  存儲(chǔ)溫度范圍�-55 � � +150 �

特�

CBR04C819B5GAC具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 高效的能量轉(zhuǎn)換能�,在整�(gè)工作頻帶�(nèi)可保持較高的功率附加效率(PAE)�
  2. �(wěn)定性好,能夠承受較高的VSWR�(fù)載失配而不損壞�
  3. �(nèi)部匹配網(wǎng)�(luò)�(jīng)�(guò)�(yōu)化設(shè)�(jì),便于用戶在�(shí)際應(yīng)用中�(shí)�(xiàn)�(jiǎn)單的�(shè)�(jì)與調(diào)��
  4. 提供�(yōu)異的線性度表現(xiàn),適合用于對(duì)信號(hào)�(zhì)量要求嚴(yán)格的�(xiàn)代通信系統(tǒng)�
  5. 具備較強(qiáng)的抗ESD能力,提升了�(chǎn)品的可靠性和使用壽命�
  6. 支持多載波操作,滿足�(dāng)前復(fù)雜調(diào)制模式的需��

�(yīng)�

CBR04C819B5GAC廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 移動(dòng)通信基站的射頻功率放大器�(shè)�(jì),支持包括LTE、WCDMA等在�(nèi)的多種標(biāo)�(zhǔn)�
  2. 微波�(diǎn)�(duì)�(diǎn)通信系統(tǒng)的功率放大模��
  3. 軍用及民用雷�(dá)�(shè)備中的發(fā)射機(jī)部分�
  4. 工業(yè)加熱、等離子體激�(fā)以及其他非通信類的大功率射頻應(yīng)��
  5. �(cè)試測(cè)�?jī)x器中的信�(hào)源或功率放大組件�

替代型號(hào)

CBR04C819B3GAC, CBR04C819B4GAC

cbr04c819b5gac推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

cbr04c819b5gac參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�645�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �1.35000剪切帶(CT�10,000 : �0.23646卷帶(TR�
  • 系列CBR-SMD RF C0G
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容8.1 pF
  • 容差±0.1pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�� Q �,低損�,超� ESR
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�RF,微�,高�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 大小 / 尺寸0.039" �(zhǎng) x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"�0.55mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-