CBR06C608B1GAC是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率電子元�,屬于氮化鎵場效�(yīng)晶體管(GaN FET)系列。該器件采用先�(jìn)的增�(qiáng)型設(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器等�(yīng)用領(lǐng)域�
此型�(hào)集成了優(yōu)化的柵極�(qū)�(dòng)特�,支持簡單且可靠的電路設(shè)�(jì)。其封裝形式為符合行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型表面貼裝封裝,能夠顯著減少寄生電感,從而提升整體系�(tǒng)效率�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�6A
�(dǎo)通電阻:8mΩ
柵極電荷�45nC
輸入電容�1200pF
反向恢復(fù)�(shí)間:30ns
工作溫度范圍�-55� to +150�
封裝類型:LFPAK EdgeClip
CBR06C608B1GAC具備卓越的電氣和物理特�,使其成為現(xiàn)代高效功率轉(zhuǎn)換的理想選擇�
1. 高耐壓能力:額定漏源電壓高�(dá)600V,適用于多種高壓�(yīng)用場��
2. 極低�(dǎo)通電阻:�8mΩ的導(dǎo)通電阻有效降低了傳導(dǎo)損�,提升了效率�
3. 快速開�(guān)性能:由于采用了先�(jìn)的GaN技�(shù),其開關(guān)頻率�(yuǎn)超傳�(tǒng)硅基MOSFET,非常適合高頻電��
4. 減少寄生效應(yīng):特別設(shè)�(jì)的封裝形式大幅降低封裝內(nèi)寄生電感,�(jìn)一步改善動(dòng)�(tài)性能�
5. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定運(yùn)�,適合工�(yè)�(jí)和汽車級(jí)�(yīng)用環(huán)境�
6. 易于�(qū)�(dòng):集成的柵極�(qū)�(dòng)特性簡化了外部�(qū)�(dòng)電路的設(shè)�(jì)�(fù)雜度�
該器件廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):包括AC-DC適配�、USB-PD充電器等�(chǎn)品中�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器:用于服�(wù)�、通信�(shè)備中的高效電源模塊�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):電�(dòng)汽車、家用電器中的逆變器和控制��
4. 能量存儲(chǔ)系統(tǒng):如電池管理系統(tǒng)中的雙向DC-DC變換器�
5. 可再生能源轉(zhuǎn)換:太陽能微型逆變器及�(fēng)能發(fā)電中的功率調(diào)節(jié)單元�
CBR06C6508B1GAC, CBR06C6008B1GAC