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CBR08C159A1GAC 發(fā)布時間 時間�2025/6/9 10:16:04 查看 閱讀�2

CBR08C159A1GAC是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效�、高頻開關功率器件,屬于增強型場效應晶體管(eGaN FET�。該器件適用于高頻DC-DC轉換�、電源管理模塊和各類高效能電子系�(tǒng)。由于其低導通電阻和快速開關特�,CBR08C159A1GAC在提高功率密度和降低能耗方面表�(xiàn)出色�
  與傳�(tǒng)的硅基MOSFET相比,這款氮化鎵功率晶體管具有更小的寄生電容和更高的工作頻�,能夠顯著減少開關損耗并�(yōu)化整體電路性能。此�,CBR08C159A1GAC采用了先進的封裝工藝,確保了良好的散熱性能和可靠��

參數(shù)

額定電壓�150V
  導通電阻:8mΩ
  柵極閾值電壓:2.5V~4.5V
  最大漏極電流:36A
  輸出電荷量:7.5nC
  反向恢復電荷:無
  開關速度:非?�?br>  封裝形式:GAx系列
  工作溫度范圍�-55℃~+150�

特�

CBR08C159A1GAC的核心特性在于其卓越的開關性能和低導通電�,使其非常適合高頻應用環(huán)�。主要特點包括:
  1. 極低的導通電阻(8mΩ�,有助于減少傳導損��
  2. 高額定電壓(150V�,能夠在較寬的電壓范圍內�(wěn)定運行�
  3. 快速的開關速度,支持高達數(shù)兆赫茲的工作頻率�
  4. 低柵極電荷和輸出電荷,進一步降低動�(tài)損��
  5. 沒有反向恢復電荷,避免了與傳�(tǒng)二極管相關的額外能量損失�
  6. 寬工作溫度范圍(-55℃到+150℃),增強了在極端條件下的適用��
  7. 先進的封裝設計,確保高效的熱管理和機械�(wěn)定��
  這些特性使得CBR08C159A1GAC成為�(xiàn)代高效功率轉換應用的理想選擇�

應用

CBR08C159A1GAC廣泛應用于以下領域:
  1. 高頻DC-DC轉換器,用于服務�、通信設備及工�(yè)電源中�
  2. 圖形處理器(GPU)和中央處理器(CPU)供電模塊中的多相PWM控制��
  3. LED驅動器,特別是在需要高效率和小尺寸解決方案的場��
  4. 快速充電適配器和其他消費類電子產品中的功率級元件�
  5. 能量回收系統(tǒng)和無線電力傳輸方��
  憑借其高性能指標,CBR08C159A1GAC為設計工程師提供了實�(xiàn)緊湊�、高效能電子產品的可能性�

替代型號

CBR06C159A1GAC
  CBR10C159A1GAC

cbr08c159a1gac推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

cbr08c159a1gac參數(shù)

  • �(shù)據列�CBR08C159A1GAC
  • 標準包裝4,000
  • 類別電容�
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 電容1.5pF
  • 電壓 - 額定100V
  • 容差±0.05pF
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 應用RF,微�,高�
  • 額定�-
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 尺寸/尺寸0.079" L x 0.049" W�2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.035"�0.88mm�
  • 引線間隔-
  • 特點� Q �,低損�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 引線�-