CBR08C159A1GAC是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效�、高頻開關功率器件,屬于增強型場效應晶體管(eGaN FET�。該器件適用于高頻DC-DC轉換�、電源管理模塊和各類高效能電子系�(tǒng)。由于其低導通電阻和快速開關特�,CBR08C159A1GAC在提高功率密度和降低能耗方面表�(xiàn)出色�
與傳�(tǒng)的硅基MOSFET相比,這款氮化鎵功率晶體管具有更小的寄生電容和更高的工作頻�,能夠顯著減少開關損耗并�(yōu)化整體電路性能。此�,CBR08C159A1GAC采用了先進的封裝工藝,確保了良好的散熱性能和可靠��
額定電壓�150V
導通電阻:8mΩ
柵極閾值電壓:2.5V~4.5V
最大漏極電流:36A
輸出電荷量:7.5nC
反向恢復電荷:無
開關速度:非?�?br> 封裝形式:GAx系列
工作溫度范圍�-55℃~+150�
CBR08C159A1GAC的核心特性在于其卓越的開關性能和低導通電�,使其非常適合高頻應用環(huán)�。主要特點包括:
1. 極低的導通電阻(8mΩ�,有助于減少傳導損��
2. 高額定電壓(150V�,能夠在較寬的電壓范圍內�(wěn)定運行�
3. 快速的開關速度,支持高達數(shù)兆赫茲的工作頻率�
4. 低柵極電荷和輸出電荷,進一步降低動�(tài)損��
5. 沒有反向恢復電荷,避免了與傳�(tǒng)二極管相關的額外能量損失�
6. 寬工作溫度范圍(-55℃到+150℃),增強了在極端條件下的適用��
7. 先進的封裝設計,確保高效的熱管理和機械�(wěn)定��
這些特性使得CBR08C159A1GAC成為�(xiàn)代高效功率轉換應用的理想選擇�
CBR08C159A1GAC廣泛應用于以下領域:
1. 高頻DC-DC轉換器,用于服務�、通信設備及工�(yè)電源中�
2. 圖形處理器(GPU)和中央處理器(CPU)供電模塊中的多相PWM控制��
3. LED驅動器,特別是在需要高效率和小尺寸解決方案的場��
4. 快速充電適配器和其他消費類電子產品中的功率級元件�
5. 能量回收系統(tǒng)和無線電力傳輸方��
憑借其高性能指標,CBR08C159A1GAC為設計工程師提供了實�(xiàn)緊湊�、高效能電子產品的可能性�
CBR06C159A1GAC
CBR10C159A1GAC