CBR08C509C5GAC 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的功率電子器件,主要用于高頻開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他高效率電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該芯片采用先�(jìn)的封裝技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和功率密度�
這款器件屬于 Cascode �(jié)�(gòu)� GaN 器件,通過將硅 MOSFET � GaN HEMT 集成在一�,實(shí)�(xiàn)了兼容標(biāo)�(zhǔn)柵極�(qū)�(dòng)信號(hào)的能�,同�(shí)保留� GaN 的高性能�(yōu)�(shì)�
額定電壓�650V
額定電流�8A
�(dǎo)通電阻:50mΩ
柵極閾值電壓:1.5V~4.0V
最大工作結(jié)溫:175°C
封裝形式:TO-252
開關(guān)速度:小�15ns
CBR08C509C5GAC 的主要特性包括:
1. 高效率:由于其低�(dǎo)通電阻和低開�(guān)損�,使得在高頻�(yīng)用中能提供更高的�(zhuǎn)換效��
2. 快速開�(guān)能力:極短的開關(guān)�(shí)間和低寄生電容,適合高頻開關(guān)�(yīng)��
3. 兼容�(biāo)�(zhǔn)�(qū)�(dòng):Cascode �(jié)�(gòu)使其可以直接使用傳統(tǒng)的硅 MOSFET 柵極�(qū)�(dòng)�,無需額外�(fù)雜的�(qū)�(dòng)電路�
4. 高可靠性:�(jīng)過優(yōu)化設(shè)�(jì),能夠在高溫�(huán)境下�(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)��
5. 小型化設(shè)�(jì):采用緊湊的 TO-252 封裝,節(jié)� PCB 空間并簡(jiǎn)化散熱設(shè)�(jì)�
CBR08C509C5GAC 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):用于高效 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)��
2. 通信�(shè)備:適用于基站電源和其他通信系統(tǒng)中的高效電源模塊�
3. 工業(yè)電源:如工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高頻開�(guān)電源�
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:例如筆記本適配器、快充頭等對(duì)體積和效率要求較高的�(chǎng)景�
5. 新能源領(lǐng)域:如光伏逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)中的電力�(zhuǎn)換部��
CBR08C509C5GAC 的替代型�(hào)包括 CBR08C509C5GAN、GaN Systems GS-065-011-2-L、Transphorm TP65H030WSG