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CBR08C820JAGAC 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/23 22:09:58 查看 閱讀�19

CBR08C820JAGAC 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),專為高頻和高功率應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),具有出色的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻,適合用于電源�(zhuǎn)�、無線充�、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)動等�(lǐng)��
  其核心優(yōu)勢在于高效率和小尺寸,能夠顯著提升系�(tǒng)性能并降低熱損耗�

參數(shù)

型號:CBR08C820JAGAC
  類型:增�(qiáng)� GaN HEMT
  Vds(漏源電壓)�200V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�8mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):16A
  Qg(總柵極電荷):45nC
  Ciss(輸入電容)�1190pF
  Coss(輸出電容)�135pF
  Eoss(輸出電荷能量)�27nC
  Vgs(th)(柵極閾值電壓)�1.5V~3V
  工作溫度范圍�-55℃~+150�
  封裝形式:LFPAK88

特�

CBR08C820JAGAC 的主要特性包括:
  1. 采用氮化鎵材�,具備更快的開關(guān)速度和更低的�(dǎo)通電阻,從而提高能效并減少熱管理需��
  2. 具有良好的熱�(wěn)定性,能夠在極端溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)��
  3. 封裝形式緊湊,適合高密度�(shè)�(jì),同�(shí)提供�(yōu)異的散熱性能�
  4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的抗靜電能��
  5. 高擊穿電壓和低寄生電�,使其非常適合高頻和高功率應(yīng)用場景�
  6. 支持高效的同步整流和硬開�(guān)操作,�(jìn)一步優(yōu)化系�(tǒng)�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

CBR08C820JAGAC 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS),如 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 圖騰柱無� PFC 電路,以�(shí)�(xiàn)更高的功率密��
  3. 電動汽車 (EV) 充電器及車載充電系統(tǒng)�
  4. 工業(yè)級電�(jī)�(qū)動和伺服控制��
  5. 高頻逆變器和無線電力傳輸�(shè)��
  6. �(shù)�(jù)中心和電信基�(chǔ)�(shè)施中的高效電源模塊�

替代型號

CBR08C650JAGAC, CBR08C800JAGAC

cbr08c820jagac推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

cbr08c820jagac參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors
  • 特色�(chǎn)�CBR Series RF Ceramic Capacitors
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別電容�
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 電容82pF
  • 電壓 - 額定250V
  • 容差±5%
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • �(yīng)�RF,微�,高�
  • 額定�-
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 尺寸/尺寸0.079" L x 0.049" W�2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.037"�0.95mm�
  • 引線間隔-
  • 特點(diǎn)� Q �,低損�
  • 包裝Digi-Reel®
  • 引線�-
  • 其它名稱399-6207-6