時(shí)間：2025/5/23 22:09:58
閱讀：19
CBR08C820JAGAC 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，專為高頻和高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的封裝技術(shù)，具有出色的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻，適合用于電源轉(zhuǎn)換、無線充電、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域。
其核心優(yōu)勢在于高效率和小尺寸，能夠顯著提升系統(tǒng)性能并降低熱損耗。
型號：CBR08C820JAGAC
類型：增強(qiáng)型 GaN HEMT
Vds（漏源電壓）：200V
Rds(on)（導(dǎo)通電阻）：8mΩ
Id（連續(xù)漏極電流）：16A
Qg（總柵極電荷）：45nC
Ciss（輸入電容）：1190pF
Coss（輸出電容）：135pF
Eoss（輸出電荷能量）：27nC
Vgs(th)（柵極閾值電壓）：1.5V~3V
工作溫度范圍：-55℃~+150℃
封裝形式：LFPAK88
CBR08C820JAGAC 的主要特性包括：
1. 采用氮化鎵材料，具備更快的開關(guān)速度和更低的導(dǎo)通電阻，從而提高能效并減少熱管理需求。
2. 具有良好的熱穩(wěn)定性，能夠在極端溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。
3. 封裝形式緊湊，適合高密度設(shè)計(jì)，同時(shí)提供優(yōu)異的散熱性能。
4. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能，增強(qiáng)了器件的抗靜電能力。
5. 高擊穿電壓和低寄生電感，使其非常適合高頻和高功率應(yīng)用場景。
6. 支持高效的同步整流和硬開關(guān)操作，進(jìn)一步優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
CBR08C820JAGAC 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS)，如 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 圖騰柱無橋 PFC 電路，以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。
3. 電動汽車 (EV) 充電器及車載充電系統(tǒng)。
4. 工業(yè)級電機(jī)驅(qū)動和伺服控制器。
5. 高頻逆變器和無線電力傳輸設(shè)備。
6. 數(shù)據(jù)中心和電信基礎(chǔ)設(shè)施中的高效電源模塊。
CBR08C650JAGAC, CBR08C800JAGAC
