CBR08C820JAGAC 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),專為高頻和高功率應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),具有出色的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻,適合用于電源�(zhuǎn)�、無線充�、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)動等�(lǐng)��
其核心優(yōu)勢在于高效率和小尺寸,能夠顯著提升系�(tǒng)性能并降低熱損耗�
型號:CBR08C820JAGAC
類型:增�(qiáng)� GaN HEMT
Vds(漏源電壓)�200V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�8mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):16A
Qg(總柵極電荷):45nC
Ciss(輸入電容)�1190pF
Coss(輸出電容)�135pF
Eoss(輸出電荷能量)�27nC
Vgs(th)(柵極閾值電壓)�1.5V~3V
工作溫度范圍�-55℃~+150�
封裝形式:LFPAK88
CBR08C820JAGAC 的主要特性包括:
1. 采用氮化鎵材�,具備更快的開關(guān)速度和更低的�(dǎo)通電阻,從而提高能效并減少熱管理需��
2. 具有良好的熱�(wěn)定性,能夠在極端溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)��
3. 封裝形式緊湊,適合高密度�(shè)�(jì),同�(shí)提供�(yōu)異的散熱性能�
4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的抗靜電能��
5. 高擊穿電壓和低寄生電�,使其非常適合高頻和高功率應(yīng)用場景�
6. 支持高效的同步整流和硬開�(guān)操作,�(jìn)一步優(yōu)化系�(tǒng)�(shè)�(jì)�
CBR08C820JAGAC 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS),如 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 圖騰柱無� PFC 電路,以�(shí)�(xiàn)更高的功率密��
3. 電動汽車 (EV) 充電器及車載充電系統(tǒng)�
4. 工業(yè)級電�(jī)�(qū)動和伺服控制��
5. 高頻逆變器和無線電力傳輸�(shè)��
6. �(shù)�(jù)中心和電信基�(chǔ)�(shè)施中的高效電源模塊�
CBR08C650JAGAC, CBR08C800JAGAC