CBTD3384PW 是一款高性能的雙通道低導通電� N 溝道邏輯 級增強型 MOSFET,主要用于需要高效率、快速開�(guān)和低損耗的應用場景。該器件采用了先進的制程技�(shù),確保了在高頻開�(guān)條件下的出色表現(xiàn)�
CBTD3384PW 集成了兩個獨立的 MOSFET,分別具有極低的導通電� (Rds(on)),從而減少了傳導損耗并提高了系�(tǒng)效率�
型號:CBTD3384PW
類型:N溝道MOSFET
VDS(漏源電壓)�30V
RDS(on)(導通電阻)�2.5mΩ(典型�,在 VGS=10V 條件下)
IDS(連續(xù)漏極電流):60A
VGS(柵源電壓):�20V
功耗:225W
封裝:TO-263-7(D2PAK-7�
CBTD3384PW 提供了以下顯著特性:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),能夠有效減少功率損耗�
2. 雙通道�(shè)�,適合需要同時控制多個負載或電路的應用�
3. 快速開�(guān)能力,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和其他高效能需求的電路�
4. 高電流處理能�,支持高�60A的持�(xù)電流輸出�
5. 良好的熱性能,具備更高的�(wěn)定性和可靠性�
6. 支持寬范圍的工作電壓,確保在不同應用場景中的適應��
7. 符合RoHS標準,綠色環(huán)保�
CBTD3384PW 廣泛應用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
2. 電機�(qū)動和電池管理系統(tǒng)的功率級控制�
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切換和保護�
4. 通信�(shè)備中的高效功率分��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的大電流開�(guān)應用�
6. 其他需要低損�、快速開�(guān)的功率轉(zhuǎn)換和控制場合�
CBTD3385PW
IRLR7843PBF
FDP6680