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CBW100505U801T 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 16:10:06 查看 閱讀�27

CBW100505U801T是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率芯片,專為高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的封裝工藝,能夠提供卓越的熱性能和電氣性能,適合用于電源管�、DC-DC�(zhuǎn)換器、無線充電系�(tǒng)等場�。其主要特點(diǎn)是高頻工作能�、低�(dǎo)通電阻以及高效的能量�(zhuǎn)��
  CBW100505U801T芯片�(nèi)部集成了保護(hù)電路,如過流保護(hù)和短路保�(hù),從而提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠��

參數(shù)

型號:CBW100505U801T
  類型:GaN 功率晶體�
  最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�12A
  �(dǎo)通電阻:80mΩ
  柵極�(qū)動電壓:4.5V � 6V
  開關(guān)頻率:最高可�(dá) 5MHz
  封裝形式:TO-252
  工作溫度范圍�-40� � +150�

特�

CBW100505U801T具有以下顯著特性:
  1. 高開�(guān)頻率:由于采用了GaN材料,使得芯片能夠在高頻下高效運(yùn)行,減少了磁性元件體�,有助于�(shí)�(xiàn)更小的系�(tǒng)尺寸�
  2. 超低�(dǎo)通電阻:僅為80mΩ,降低了功率損�,提升了整體效率�
  3. 熱性能�(yōu)異:先�(jìn)的封裝技�(shù)確保了良好的散熱性能,從而延長了使用壽命�
  4. �(nèi)置保�(hù)功能:具備過流保�(hù)和短路保�(hù),增�(qiáng)了芯片的魯棒��
  5. 寬工作溫度范圍:支持�-40℃到+150℃的工作�(huán)境,適應(yīng)多種�(yīng)用場��
  6. 小型化設(shè)�(jì):相比傳�(tǒng)硅基器件,CBW100505U801T的體積更�,非常適合對空間有限制的�(shè)�(jì)需��

�(yīng)�

CBW100505U801T適用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 無線充電�(shè)�
  4. 太陽能逆變�
  5. LED�(qū)動器
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的快速充電模�
  7. 工業(yè)自動化中的電源管理系�(tǒng)
  該芯片憑借其高性能和可靠�,成為上述應(yīng)用的理想選擇�

替代型號

CSD19536Q5B
  NTMFS4C706
  GXT10065L

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