CBW201209U000T 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率開�(guān)器件,廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和充電器等領(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的封裝工�,能夠提供高效率和低損耗的性能,同�(shí)支持高頻率操作以減小整體系統(tǒng)尺寸�
其內(nèi)部結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)使得�(dǎo)通電阻極�,從而降低能量損耗,并且具備出色的熱管理能力,確保在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)��
型號(hào):CBW201209U000T
類型:GaN 功率開關(guān)
額定電壓�650V
額定電流�18A
�(dǎo)通電阻:7.5mΩ
封裝形式:TO-247-4L
工作溫度范圍�-55� � +175�
最大開�(guān)頻率�5MHz
CBW201209U000T 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 高效的氮化鎵材料,使得器件具有極低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度�
2. �(nèi)置柵極驅(qū)�(dòng)�(yōu)化電�,簡化了外部�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì)并提升了系統(tǒng)的可靠性�
3. 提供過溫保護(hù)功能,能夠在極端條件下防止器件損壞�
4. 封裝采用散熱增強(qiáng)型設(shè)�(jì),可有效降低�(jié)溫并提高長期�(wěn)定��
5. 支持高達(dá)5MHz的工作頻�,有助于減少磁性元件的體積和重�,從而優(yōu)化整�(gè)系統(tǒng)的成本與性能平衡�
6. 出色的動(dòng)�(tài)性能和靜�(tài)性能,使其非常適合需要高效率和高性能的應(yīng)用場��
CBW201209U000T 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高頻開關(guān)電源(SMPS�,如服務(wù)器電�、通信�(shè)備電源等�
2. 充電器及適配器設(shè)�(jì),尤其是快速充電器�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器,適用于汽車電子、工�(yè)控制和消�(fèi)類電子產(chǎn)��
4. 太陽能微型逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)備�
5. LED�(qū)�(dòng)�,用于高亮度照明解決方案�
由于其高效率和高頻特�,這款芯片非常適合�(duì)尺寸和重量敏感的�(yīng)用場�,同�(shí)也能滿足高功率密度的需��
CBW201209U000S
CBD201209U000T