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CBW201209U202T 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/7 16:05:01 查看 閱讀：22

CBW201209U202T是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高效功率轉(zhuǎn)換芯片，專為高頻開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和工業(yè)電源等應(yīng)用設(shè)計(jì)。該芯片集成了驅(qū)動(dòng)器與保護(hù)電路，具有高效率、高功率密度以及快速開(kāi)關(guān)特性，能夠顯著降低能耗并提高系統(tǒng)性能。
　　其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和材料選擇使其能夠在高頻工作條件下保持低損耗，同時(shí)支持寬電壓輸入范圍，適合多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)景。

參數(shù)

型號(hào)：CBW201209U202T
　　封裝形式：QFN32
　　額定電壓：650V
　　額定電流：20A
　　導(dǎo)通電阻：120mΩ
　　最大開(kāi)關(guān)頻率：2MHz
　　柵極電荷：45nC
　　結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃
　　存儲(chǔ)溫度范圍：-65℃ 至 +150℃
　　熱阻：0.8°C/W

特性

CBW201209U202T采用先進(jìn)的GaN技術(shù)制造，具備以下特點(diǎn)：
　　1. 高效能量轉(zhuǎn)換：由于其低導(dǎo)通電阻和低開(kāi)關(guān)損耗，在高頻工作狀態(tài)下表現(xiàn)出色，能有效減少能量損失。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)能力：支持高達(dá)2MHz的工作頻率，使得小型化和高功率密度成為可能。
　　3. 內(nèi)置保護(hù)功能：集成過(guò)流保護(hù)、過(guò)溫關(guān)斷等功能，確保芯片在異常情況下仍能安全運(yùn)行。
　　4. 易于使用：兼容傳統(tǒng)硅MOSFET驅(qū)動(dòng)器，無(wú)需額外的復(fù)雜外圍電路設(shè)計(jì)。
　　5. 寬工作范圍：支持從幾伏到數(shù)百伏的輸入電壓，適應(yīng)性強(qiáng)。

應(yīng)用

CBW201209U202T廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源適配器：用于筆記本電腦、智能手機(jī)和其他消費(fèi)類電子產(chǎn)品的充電器中。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器：如電動(dòng)汽車中的電池管理系統(tǒng)或通信設(shè)備中的電源模塊。
　　3. 工業(yè)電源：適用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的緊湊型、高效型電源解決方案。
　　4. 光伏逆變器：用于提高太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率。
　　5. LED驅(qū)動(dòng)器：實(shí)現(xiàn)更高效率的LED照明驅(qū)動(dòng)方案。

替代型號(hào)

CBW201209U201T, CBW201209U203T

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