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CBW201209U401T 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/24 10:23:28 查看 閱讀�15

CBW201209U401T 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率轉(zhuǎn)換芯�,專為高功率密度和高頻應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝工�,能夠提供卓越的電氣性能和熱性能。其主要�(yīng)用場(chǎng)景包括開�(guān)電源、太陽能逆變器、電�(dòng)汽車充電�(shè)備以及其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(lǐng)��
  該芯片具有內(nèi)置保�(hù)功能,可確保在各種工作條件下的穩(wěn)定性和可靠�。此�,其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性使其成為高性能功率�(zhuǎn)換的理想選擇�

參數(shù)

型號(hào):CBW201209U401T
  類型:GaN 功率晶體�
  最大漏源電壓:650 V
  連續(xù)漏極電流�20 A
  �(dǎo)通電阻:40 mΩ
  柵極電荷�80 nC
  開關(guān)頻率:最� 5 MHz
  封裝形式:TO-247-4L
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  存儲(chǔ)溫度范圍�-65°C � +150°C

特�

CBW201209U401T 的核心特性在于其利用了氮化鎵材料的獨(dú)特優(yōu)�(shì)。與傳統(tǒng)的硅基功率晶體管相比,這款芯片具備更低的導(dǎo)通電阻和更小的寄生電容,從而顯著降低了開關(guān)損耗并提升了效��
  同時(shí),該芯片支持高達(dá) 5 MHz 的開�(guān)頻率,這使得設(shè)�(jì)者能夠在不犧牲效率的情況下使用更小的無源元件,從而減小整體系�(tǒng)尺寸和重��
  此外,CBW201209U401T 還集成了多重保護(hù)功能,例如過流保�(hù)、過溫保�(hù)以及短路保護(hù),以提高系統(tǒng)的可靠性和安全�。這些保護(hù)�(jī)制由�(nèi)部電路自�(dòng)�(jiān)控,并在檢測(cè)到異常情況時(shí)迅速響�(yīng),防�?jié)撛趽p害�
  � TO-247-4L 封裝形式提供了良好的散熱性能,適合大功率�(yīng)用環(huán)�。結(jié)合高耐壓能力和寬工作溫度范圍,這款芯片能夠適應(yīng)惡劣的工作條件�

�(yīng)�

CBW201209U401T 廣泛�(yīng)用于多種高功率電子系�(tǒng)�,主要包括以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS):用于�(shù)�(jù)中心服務(wù)�、消�(fèi)類電子產(chǎn)品適配器等場(chǎng)景中的高效能量轉(zhuǎn)換�
  2. 太陽能逆變器:作為核心功率�(zhuǎn)換器�,提升光伏系�(tǒng)的整體效率�
  3. 電動(dòng)汽車充電樁:支持快速充電功�,滿足現(xiàn)代電�(dòng)車對(duì)充電速度的需��
  4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng):通過高頻開關(guān)�(shí)�(xiàn)精確的速度控制和扭矩調(diào)節(jié)�
  5. 通信基站電源:為 5G 和其他新一代通信基礎(chǔ)�(shè)施提供穩(wěn)定的電力供應(yīng)�
  由于其高頻和高效特性,CBW201209U401T 能夠幫助�(shè)�(jì)者開�(fā)出更加緊湊且節(jié)能的解決方案�

替代型號(hào)

CBW201209U301T, CBW201209U501T

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