CBW321609U201T 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率開(kāi)�(guān)器件,專(zhuān)為高頻和高效率應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該芯片具有出色的開(kāi)�(guān)性能、低�(dǎo)通電阻和高擊穿電�,適用于各種電源管理�(yīng)�,包括快充適配器、DC-DC�(zhuǎn)換器以及�(wú)線充電設(shè)備等。其緊湊的封裝形式使其非常適合空間受限的�(shè)�(jì)�
型號(hào):CBW321609U201T
�(lèi)型:GaN 功率晶體�
工作電壓�650 V
持續(xù)電流�9 A
�(dǎo)通電阻:160 mΩ
柵極電荷�45 nC
反向恢復(fù)�(shí)間:�(wú)(因 GaN 技�(shù)特性)
封裝形式:TO-252 (DPAK)
工作溫度范圍�-55 � � +175 �
CBW321609U201T 的主要特�(diǎn)是其采用了先�(jìn)的氮化鎵技�(shù),這使得它具備了比傳統(tǒng)硅基MOSFET更高的效率和更快的開(kāi)�(guān)速度。具體來(lái)�(shuō),這款芯片具有以下�(yōu)�(diǎn)�
1. 高頻率操作能�,能夠顯著減小磁性元件體�,從而實(shí)�(xiàn)更小型化的電源解決方案�
2. 極低的導(dǎo)通電�,在高電流應(yīng)用中可減少功耗并提高整體系統(tǒng)效率�
3. �(nèi)置保�(hù)功能,如�(guò)溫保�(hù)和短路保�(hù),提升了�(chǎn)品的可靠性和安全��
4. 寬廣的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下的穩(wěn)定表�(xiàn)�
這些特點(diǎn)� CBW321609U201T 成為高性能電源�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
CBW321609U201T 廣泛�(yīng)用于需要高效能和高功率密度的領(lǐng)�,典型應(yīng)用包括:
1. USB-PD 快速充電器,支持多�(xié)議輸出以�(mǎn)足不同設(shè)備需求�
2. 工業(yè)� DC-DC �(zhuǎn)換器,用于電信基�(chǔ)�(shè)施或服務(wù)器電源供�(yīng)�
3. �(wú)線充電發(fā)射端模塊,提供高效的能量傳輸�
4. LED �(qū)�(dòng)電路,特別是大功率照明系�(tǒng)�
此外,該器件也可用于太陽(yáng)能微型逆變器及便攜式電子設(shè)備的電源管理單元中�
CBW321610U201T, CFW321609U201T