CBW321609U202T是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率�(kāi)�(guān)器件,適用于高頻、高功率密度的電力電子應(yīng)用。該芯片通過(guò)�(yōu)化的柵極�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì)和低寄生參數(shù)�(jié)�(gòu),實(shí)�(xiàn)了更高的�(kāi)�(guān)速度和更低的�(dǎo)通損耗。其封裝形式為緊湊型表面貼裝,適合在有限空間�(nèi)�(shí)�(xiàn)高性能�(zhuǎn)換�
型號(hào):CBW321609U202T
�(lèi)型:GaN 功率�(kāi)�(guān)
最大漏源電壓:650V
持續(xù)漏極電流�18A
�(dǎo)通電阻:16mΩ
柵極電荷�70nC
�(kāi)�(guān)頻率范圍:高�(dá)5MHz
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝:U202T
CBW321609U202T具有卓越的電氣性能和熱性能�
1. 超低�(dǎo)通電阻:僅為16mΩ,顯著降低了傳導(dǎo)損�,提升了整體效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力:支持高�(dá)5MHz的開(kāi)�(guān)頻率,非常適合高頻應(yīng)�,如DC-DC�(zhuǎn)換器和無(wú)線充電設(shè)��
3. 熱管理優(yōu)化:采用先�(jìn)的散熱設(shè)�(jì),能夠在高功率密度下保持�(wěn)定運(yùn)��
4. 小尺寸封裝:U202T封裝形式節(jié)省了PCB空間,同�(shí)提供了可靠的�(jī)械穩(wěn)定��
5. 安全性:�(nèi)置過(guò)流保�(hù)和過(guò)溫保�(hù)功能,提高了系統(tǒng)的可靠��
6. 高效能量�(zhuǎn)換:由于GaN材料的獨(dú)特屬性,CBW321609U202T在高頻條件下表現(xiàn)出比傳統(tǒng)硅基MOSFET更優(yōu)的性能�
這款芯片廣泛�(yīng)用于多種高功率密度和高頻�(chǎng)景中�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):包括AC-DC和DC-DC�(zhuǎn)換器,提供高效的功率�(zhuǎn)��
2. �(wú)線充電模塊:支持快速充電功能,特別適用于消�(fèi)電子�(chǎn)��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于無(wú)人機(jī)、機(jī)器人等需要高效驅(qū)�(dòng)的應(yīng)��
4. �(shù)�(jù)中心電源:幫助實(shí)�(xiàn)高效率的能量傳輸和管��
5. 新能源領(lǐng)域:例如太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車(chē)充電樁中的高頻轉(zhuǎn)換電��
CBW321609U150T, CBW321609U202S