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CBW321609U252T 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/22 14:35:21 查看 閱讀：9

CBW321609U252T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先進(jìn)的制造工藝以確保低導(dǎo)通電阻和高效率。該器件通常用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。其設(shè)計(jì)注重降低功耗并提升系統(tǒng)的整體性能。
　　CBW321609U252T 的封裝形式為 TO-252（DPAK），具備良好的散熱性能，同時(shí)支持表面貼裝技術(shù)（SMD），適合自動(dòng)化生產(chǎn)和緊湊型設(shè)計(jì)需求。

參數(shù)

類型：N溝道 MOSFET
　　最大漏源電壓(V_DS)：60V
　　最大柵源電壓(V_GS)：±20V
　　連續(xù)漏極電流(I_D)：9A
　　導(dǎo)通電阻(R_DS(on))：2.8mΩ (典型值，V_GS=10V)
　　柵極電荷(Q_g)：17nC
　　開關(guān)速度：快速
　　工作溫度范圍(T_j)：-55°C 至 +175°C
　　封裝形式：TO-252 (DPAK)

特性

CBW321609U252T 具有以下主要特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，能夠有效減少導(dǎo)通損耗，從而提高系統(tǒng)效率。
　　2. 快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷，有助于降低開關(guān)損耗。
　　3. 高額定電流能力，可以滿足大功率應(yīng)用的需求。
　　4. 工作溫度范圍寬廣，適用于各種惡劣環(huán)境下的操作。
　　5. 封裝形式支持表面貼裝技術(shù)，簡(jiǎn)化了生產(chǎn)流程并提升了可靠性。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中。

應(yīng)用

CBW321609U252T 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流。
　　2. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制。
　　3. 汽車電子中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制。
　　5. LED 照明驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)元件。
　　6. 各類消費(fèi)類電子產(chǎn)品的高效功率轉(zhuǎn)換模塊。

替代型號(hào)

IRFZ44N, FDP5570, AO3400

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