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CBW322513U300T 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/28 20:33:59 查看 閱讀:30

CBW322513U300T是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高效功率開關(guān)器件,專為高頻率、高效率的應(yīng)用場景設(shè)計(jì)。該芯片采用先進(jìn)的封裝工藝和增強(qiáng)型GaN FET技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,能夠顯著降低能量損耗并提升系統(tǒng)性能。CBW322513U300T廣泛應(yīng)用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、充電器、太陽能逆變器等領(lǐng)域,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對小型化、高性能的需求。
  該芯片內(nèi)置保護(hù)功能,包括過流保護(hù)、短路保護(hù)以及過溫保護(hù)等,確保在復(fù)雜工作環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性。

參數(shù)

額定電壓:650V
  導(dǎo)通電阻:30mΩ
  最大電流:40A
  柵極電荷:80nC
  反向恢復(fù)時(shí)間:<10ns
  工作溫度范圍:-55℃至+150℃

特性

CBW322513U300T的主要特性如下:
  1. 基于GaN技術(shù),具備超低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度,顯著提高能效。
  2. 支持高達(dá)10MHz的工作頻率,適用于高頻應(yīng)用場合。
  3. 內(nèi)置多種保護(hù)功能,如過流保護(hù)、短路保護(hù)和過溫保護(hù),確保運(yùn)行安全。
  4. 封裝形式緊湊,占用空間小,適合高密度設(shè)計(jì)需求。
  5. 耐熱性能優(yōu)越,能夠在極端溫度環(huán)境下正常工作。
  6. 低寄生電感設(shè)計(jì),減少開關(guān)過程中的振蕩和電磁干擾(EMI)。
  7. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠。

應(yīng)用

CBW322513U300T適用于以下領(lǐng)域:
  1. 高效DC-DC轉(zhuǎn)換器。
  2. 快速充電器及適配器。
  3. 太陽能微逆變器與儲能系統(tǒng)。
  4. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)及控制。
  5. LED照明驅(qū)動(dòng)電路。
  6. 電動(dòng)汽車車載充電器(OBC)和DC-DC變換器。
  7. 數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源及其他高性能電源管理系統(tǒng)。

替代型號

CBW322513U200T, CBW322513U400T

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