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CC1812GKNPOABN442 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 22:31:12 查看 閱讀�10

CC1812GKNPOABN442 是一種基于氮化鎵(GaN)技術的高頻功率放大器芯片,主要用于射頻和微波通信系統(tǒng)。該芯片采用先進的 GaN 工藝制�,具有高輸出功率、高效率和寬帶寬特�,適合于基站、雷達、衛(wèi)星通信和其他高性能射頻應用�
  這款芯片通過�(yōu)化設計以支持高頻段工作,同時保持較低的熱�,從而提高了整體性能和可靠性�

參數(shù)

型號:CC1812GKNPOABN442
  工作頻率范圍�1.8 GHz - 2.2 GHz
  輸出功率�44 dBm
  增益�12 dB
  效率�65%
  電源電壓�28 V
  靜態(tài)電流�2 A
  封裝形式:QFN-32
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C

特�

CC1812GKNPOAB采用了最新的氮化鎵技�,具備卓越的高頻性能。其主要特性包括:
  1. 高輸出功率:能夠� 1.8 GHz � 2.2 GHz 的頻率范圍內提供高達 44 dBm 的輸出功��
  2. 高效率:在高功率輸出時仍然能夠保持約 65% 的效�,減少功耗和熱量生成�
  3. 寬帶操作:支持較寬的工作頻率范圍,適用于多種射頻應用場景�
  4. 低熱阻設計:通過�(yōu)化散熱結構,降低了芯片運行時的溫�,提高了長期使用的穩(wěn)定��
  5. 小型化封裝:采用 QFN-32 封裝,便于集成到緊湊型設備中�

應用

CC1812GKNPOABN442 主要應用于以下領域:
  1. 無線通信基站:支� LTE � 5G 網絡中的功率放大需��
  2. 雷達系統(tǒng):可用于氣象雷達、空中交通管制雷達等高功率射頻應用�
  3. �(wèi)星通信:為�(wèi)星地面站和用戶終端提供高效功率放��
  4. 測試與測量設備:用于信號源和功率放大測試儀器�
  5. 其他工業(yè)和軍事射頻應用:如電子戰(zhàn)系統(tǒng)和高能微波設��

替代型號

CC1812GKNPAOABN442
  CC1812GKNPBAABN442

cc1812gknpoabn442推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

cc1812gknpoabn442參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • 價格15,000 : �7.00776卷帶(TR�
  • 系列CC
  • 包裝卷帶(TR�
  • 產品狀�(tài)在售
  • 電容4400 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級-
  • 應用通用
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812�4532 公制�
  • 大小 / 尺寸0.177" � x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)-
  • 引線間距-
  • 引線樣式-