CDB0130QRL 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率晶體�,廣泛應用于高頻、高效率的電源轉(zhuǎn)換場�。該器件采用了先進的 GaN 工藝,具備低導通電阻和快速開關速度的特�,適合要求高性能、高可靠性的電力電子應用�
類型:功率晶體管
材料:氮化鎵(GaN�
最大漏源電壓(Vds):600V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
導通電阻(Rds(on)):130mΩ
連續(xù)漏極電流(Id):20A
開關頻率:高� 5MHz
封裝形式:QFN4x4
CDB0130QRL 具備以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻(130mΩ),有效降低導通損��
2. 快速開關速度,支持高� 5MHz 的工作頻率,滿足高頻應用場景需��
3. 高耐壓能力�600V),確保在高壓環(huán)境下�(wěn)定運��
4. 減少了寄生電感和電容的影響,�(yōu)化了動態(tài)性能�
5. 小型化的 QFN4x4 封裝設計,有助于節(jié)� PCB 空間�
6. �(nèi)置過溫保護功能,提升系統(tǒng)可靠��
CDB0130QRL 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 無線充電設備
4. LED �(qū)動電�
5. 消費類電子產(chǎn)品中的快充模�
6. 工業(yè)級電機驅(qū)動和逆變�
7. 太陽能微型逆變�
CDB0150QRL, CDB0100QRL