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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > CDB0130QRL

CDB0130QRL 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 15:49:20 查看 閱讀�29

CDB0130QRL 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率晶體�,廣泛應用于高頻、高效率的電源轉(zhuǎn)換場�。該器件采用了先進的 GaN 工藝,具備低導通電阻和快速開關速度的特�,適合要求高性能、高可靠性的電力電子應用�

參數(shù)

類型:功率晶體管
  材料:氮化鎵(GaN�
  最大漏源電壓(Vds):600V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  導通電阻(Rds(on)):130mΩ
  連續(xù)漏極電流(Id):20A
  開關頻率:高� 5MHz
  封裝形式:QFN4x4

特�

CDB0130QRL 具備以下顯著特性:
  1. 極低的導通電阻(130mΩ),有效降低導通損��
  2. 快速開關速度,支持高� 5MHz 的工作頻率,滿足高頻應用場景需��
  3. 高耐壓能力�600V),確保在高壓環(huán)境下�(wěn)定運��
  4. 減少了寄生電感和電容的影響,�(yōu)化了動態(tài)性能�
  5. 小型化的 QFN4x4 封裝設計,有助于節(jié)� PCB 空間�
  6. �(nèi)置過溫保護功能,提升系統(tǒng)可靠��

應用

CDB0130QRL 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 無線充電設備
  4. LED �(qū)動電�
  5. 消費類電子產(chǎn)品中的快充模�
  6. 工業(yè)級電機驅(qū)動和逆變�
  7. 太陽能微型逆變�

替代型號

CDB0150QRL, CDB0100QRL

cdb0130qrl推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
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cdb0130qrl�(chǎn)�