CDR01BP150BKZMAT 是一款由 ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)的功率 MOSFET,采用 TO-263 封裝形式。該器件是一種 N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開關(guān)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景。其高效率和低導(dǎo)通電阻特性使其非常適合需要高效能和小體積的應(yīng)用。
型號(hào):CDR01BP150BKZMAT
類型:N溝道功率 MOSFET
封裝:TO-263 (D2PAK)
最大漏源電壓(V_DS):150V
最大柵極源極電壓(V_GS):±20V
連續(xù)漏極電流(I_D):4.7A
脈沖漏極電流(I_D_Pulse):9.8A
導(dǎo)通電阻(R_DS(on)):3.5Ω(典型值,在 V_GS=10V 時(shí))
總功耗(P_TOT):125W
工作溫度范圍(T_J):-55℃ 至 +150℃
CDR01BP150BKZMAT 具有以下顯著特點(diǎn):
1. 高擊穿電壓:額定漏源電壓為 150V,適合中高壓應(yīng)用。
2. 低導(dǎo)通電阻:在 V_GS=10V 的條件下,導(dǎo)通電阻僅為 3.5Ω,從而減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
3. 快速開關(guān)速度:由于其優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計(jì),使得開關(guān)損耗較低,適合高頻應(yīng)用。
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):具備較高的結(jié)溫范圍(-55℃ 至 +150℃),能夠在惡劣環(huán)境下可靠運(yùn)行。
5. 小型化封裝:TO-263 封裝形式提供了良好的散熱性能和緊湊的設(shè)計(jì),有助于減小整體電路尺寸。
6. ESD 保護(hù):內(nèi)置靜電放電保護(hù)功能,提高了器件的可靠性。
CDR01BP150BKZMAT 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):用于主開關(guān)管或同步整流管。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器:在降壓或升壓轉(zhuǎn)換器中作為開關(guān)元件。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):適用于小型直流電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)控制。
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS):用于電池保護(hù)電路中的負(fù)載開關(guān)。
5. 工業(yè)自動(dòng)化:用作各類工業(yè)設(shè)備中的功率開關(guān)元件。
6. 消配器、LED 驅(qū)動(dòng)器等。
CDR01BP150BKZMAJ, FDP150N15AP, IRF540N