CDR01BP150BKZMAT 是一款由 ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)的功� MOSFET,采� TO-263 封裝形式。該器件是一� N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)� DC-DC �(zhuǎn)換器等場(chǎng)�。其高效率和低導(dǎo)通電阻特性使其非常適合需要高效能和小體積的應(yīng)��
型號(hào):CDR01BP150BKZMAT
類型:N溝道功率 MOSFET
封裝:TO-263 (D2PAK)
最大漏源電�(V_DS)�150V
最大柵極源極電�(V_GS):�20V
連續(xù)漏極電流(I_D)�4.7A
脈沖漏極電流(I_D_Pulse)�9.8A
�(dǎo)通電�(R_DS(on))�3.5Ω(典型值,� V_GS=10V �(shí)�
總功�(P_TOT)�125W
工作溫度范圍(T_J)�-55� � +150�
CDR01BP150BKZMAT 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 高擊穿電壓:額定漏源電壓� 150V,適合中高壓�(yīng)��
2. 低導(dǎo)通電阻:� V_GS=10V 的條件下,導(dǎo)通電阻僅� 3.5Ω,從而減少傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)速度:由于其�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),使得開�(guān)損耗較�,適合高頻應(yīng)��
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):具備較高的�(jié)溫范圍(-55� � +150℃),能夠在惡劣�(huán)境下可靠�(yùn)��
5. 小型化封裝:TO-263 封裝形式提供了良好的散熱性能和緊湊的�(shè)�(jì),有助于減小整體電路尺寸�
6. ESD 保護(hù):內(nèi)置靜電放電保�(hù)功能,提高了器件的可靠��
CDR01BP150BKZMAT 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):用于主開�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器:在降壓或升壓轉(zhuǎn)換器中作為開�(guān)元件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):適用于小型直流電機(jī)或步�(jìn)電機(jī)的驅(qū)�(dòng)控制�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS):用于電池保護(hù)電路中的�(fù)載開�(guān)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化:用作各類工業(yè)�(shè)備中的功率開�(guān)元件�
6. 消配�、LED �(qū)�(dòng)器等�
CDR01BP150BKZMAJ, FDP150N15AP, IRF540N