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CDR01BP150BKZMAT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 18:38:28 查看 閱讀�15

CDR01BP150BKZMAT 是一款由 ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)的功� MOSFET,采� TO-263 封裝形式。該器件是一� N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)� DC-DC �(zhuǎn)換器等場(chǎng)�。其高效率和低導(dǎo)通電阻特性使其非常適合需要高效能和小體積的應(yīng)��

參數(shù)

型號(hào):CDR01BP150BKZMAT
  類型:N溝道功率 MOSFET
  封裝:TO-263 (D2PAK)
  最大漏源電�(V_DS)�150V
  最大柵極源極電�(V_GS):�20V
  連續(xù)漏極電流(I_D)�4.7A
  脈沖漏極電流(I_D_Pulse)�9.8A
  �(dǎo)通電�(R_DS(on))�3.5Ω(典型值,� V_GS=10V �(shí)�
  總功�(P_TOT)�125W
  工作溫度范圍(T_J)�-55� � +150�

特�

CDR01BP150BKZMAT 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 高擊穿電壓:額定漏源電壓� 150V,適合中高壓�(yīng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:� V_GS=10V 的條件下,導(dǎo)通電阻僅� 3.5Ω,從而減少傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)速度:由于其�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),使得開�(guān)損耗較�,適合高頻應(yīng)��
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):具備較高的�(jié)溫范圍(-55� � +150℃),能夠在惡劣�(huán)境下可靠�(yùn)��
  5. 小型化封裝:TO-263 封裝形式提供了良好的散熱性能和緊湊的�(shè)�(jì),有助于減小整體電路尺寸�
  6. ESD 保護(hù):內(nèi)置靜電放電保�(hù)功能,提高了器件的可靠��

�(yīng)�

CDR01BP150BKZMAT 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):用于主開�(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器:在降壓或升壓轉(zhuǎn)換器中作為開�(guān)元件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):適用于小型直流電機(jī)或步�(jìn)電機(jī)的驅(qū)�(dòng)控制�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS):用于電池保護(hù)電路中的�(fù)載開�(guān)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化:用作各類工業(yè)�(shè)備中的功率開�(guān)元件�
  6. 消配�、LED �(qū)�(dòng)器等�

替代型號(hào)

CDR01BP150BKZMAJ, FDP150N15AP, IRF540N

cdr01bp150bkzmat參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR01
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容15 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)BP
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�高可靠�
  • 故障�M�1%�
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.080" �(zhǎng) x 0.050" 寬(2.03mm x 1.27mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.055"�1.40mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-