CDR01BP151BKZMAT是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率和低功耗應用設�。該芯片采用先進的制造工�,具備優(yōu)秀的導通電阻特�、快速開�(guān)性能以及出色的熱�(wěn)定�。適用于各類電源管理場景,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源(SMPS�、電機驅(qū)動和負載開關(guān)��
該器件以N溝道增強型場效應晶體管為核心�(jié)�(gòu),能夠顯著降低系�(tǒng)功耗并提高整體效率。此�,它還具有極佳的抗干擾能力和可靠�,適合在嚴苛�(huán)境下工作�
類型:N溝道MOSFET
封裝:TO-263 (D2PAK)
最大漏源電�(V_DS)�60V
最大柵源電�(V_GS):�20V
連續(xù)漏極電流(I_D)�40A
導通電�(R_DS(on))�1.5mΩ @ V_GS=10V
總柵極電�(Q_g)�80nC
輸入電容(C_iss)�1740pF
輸出電容(C_oss)�49pF
反向傳輸電容(C_rss)�185pF
功�(P_TOT)�180W
工作溫度范圍(T_J)�-55℃至+175�
1. 極低的導通電�,有效減少傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度,支持高頻操�,適合現(xiàn)代高效電源設計�
3. 高電流承載能�,可滿足大功率應用場景需��
4. �(yōu)化的熱性能設計,確保在高溫條件下穩(wěn)定運��
5. �(nèi)置ESD保護機制,增強了器件的抗靜電能力�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全可靠�
7. 緊湊的表面貼裝封裝形�,簡化了PCB布局與焊接過程�
8. 良好的動�(tài)性能,適合于脈寬�(diào)制(PWM)及�(shù)字控制的應用�(huán)境�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率器��
3. 電動工具、家用電器和其他消費類電子產(chǎn)品的電機�(qū)動電��
4. 汽車電子�(lǐng)域中用于負載切換或電池保護�
5. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模��
6. 可再生能源系�(tǒng)(如太陽能逆變器)中的功率�(zhuǎn)換組��
7. 通信設備中的高效電源管理單元�
8. 各種需要低導通損耗和快速開�(guān)特性的場合�
CDR01BP151BKZMA, CDR01BP151BKZM, IRF540N, FDP150AN