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CDR01BP151BKZMAT 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 18:18:16 查看 閱讀�18

CDR01BP151BKZMAT是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率和低功耗應用設�。該芯片采用先進的制造工�,具備優(yōu)秀的導通電阻特�、快速開�(guān)性能以及出色的熱�(wěn)定�。適用于各類電源管理場景,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源(SMPS�、電機驅(qū)動和負載開關(guān)��
  該器件以N溝道增強型場效應晶體管為核心�(jié)�(gòu),能夠顯著降低系�(tǒng)功耗并提高整體效率。此�,它還具有極佳的抗干擾能力和可靠�,適合在嚴苛�(huán)境下工作�

參數(shù)

類型:N溝道MOSFET
  封裝:TO-263 (D2PAK)
  最大漏源電�(V_DS)�60V
  最大柵源電�(V_GS):�20V
  連續(xù)漏極電流(I_D)�40A
  導通電�(R_DS(on))�1.5mΩ @ V_GS=10V
  總柵極電�(Q_g)�80nC
  輸入電容(C_iss)�1740pF
  輸出電容(C_oss)�49pF
  反向傳輸電容(C_rss)�185pF
  功�(P_TOT)�180W
  工作溫度范圍(T_J)�-55℃至+175�

特�

1. 極低的導通電�,有效減少傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)速度,支持高頻操�,適合現(xiàn)代高效電源設計�
  3. 高電流承載能�,可滿足大功率應用場景需��
  4. �(yōu)化的熱性能設計,確保在高溫條件下穩(wěn)定運��
  5. �(nèi)置ESD保護機制,增強了器件的抗靜電能力�
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全可靠�
  7. 緊湊的表面貼裝封裝形�,簡化了PCB布局與焊接過程�
  8. 良好的動�(tài)性能,適合于脈寬�(diào)制(PWM)及�(shù)字控制的應用�(huán)境�

應用

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率器��
  3. 電動工具、家用電器和其他消費類電子產(chǎn)品的電機�(qū)動電��
  4. 汽車電子�(lǐng)域中用于負載切換或電池保護�
  5. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模��
  6. 可再生能源系�(tǒng)(如太陽能逆變器)中的功率�(zhuǎn)換組��
  7. 通信設備中的高效電源管理單元�
  8. 各種需要低導通損耗和快速開�(guān)特性的場合�

替代型號

CDR01BP151BKZMA, CDR01BP151BKZM, IRF540N, FDP150AN

cdr01bp151bkzmat參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR01
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容150 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)BP
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級-
  • 應用高可靠�
  • 故障�M�1%�
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.080" � x 0.050" 寬(2.03mm x 1.27mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.055"�1.40mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-