CDR01BP180BJZRAT是一種高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠性�
最大漏源電壓:180V
連續(xù)漏極電流�3.6A
�(dǎo)通電阻:0.055Ω
柵極電荷�24nC
開關(guān)�(shí)間:ton=29ns, toff=17ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),有效降低功率損��
2. 高速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)��
3. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)可靠工作�
4. �(nèi)置ESD保護(hù),增�(qiáng)抗靜電能��
5. 小型封裝,節(jié)省電路板空間�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛材��
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流�
4. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)�
5. 逆變器和UPS系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)��
6. 各類工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊�
CDR01BP180BJZRAJ, CDR01BP180BJZRAL, IRF180PBF