CDR01BX102BMZMAT是一款由ON Semiconductor(安森美)生�(chǎn)的功率MOSFET芯片,該器件屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET。它主要�(yīng)用于高效率的開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器和負(fù)載開�(guān)等場(chǎng)�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),可有效減少能量損耗并提高系統(tǒng)性能�
該型�(hào)采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高性能和高可靠性的需求�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�48A
�(dǎo)通電阻:1.4mΩ
柵極電荷�79nC
開關(guān)速度:非?�?br> 封裝形式:TO-247-3L
CDR01BX102BMZMAT的主要特�(diǎn)是其極低的導(dǎo)通電�,僅�1.4毫歐�,這使得該器件在大電流�(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠顯著降低傳�(dǎo)損�。此外,其柵極電荷較�,有助于�(shí)�(xiàn)更快的開�(guān)速度,從而提升整體效��
該MOSFET還具備良好的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行。同�(shí),由于其出色的電氣特性和可靠性設(shè)�(jì),適合用于需要頻繁開�(guān)和高電流�(fù)載的�(yīng)用場(chǎng)��
另外,這款器件支持表面貼裝技�(shù),并提供多種保護(hù)功能選項(xiàng),例如過(guò)流保�(hù)和短路保�(hù),�(jìn)一步增�(qiáng)了系�(tǒng)的安全性和�(wěn)定��
CDR01BX102BMZMAT廣泛�(yīng)用于各類電力電子�(lǐng)域,包括但不限于�
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. 電機(jī)控制與驅(qū)�(dòng)
3. DC-DC�(zhuǎn)換器
4. �(fù)載開�(guān)
5. 太陽(yáng)能逆變�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
7. 汽車電子系統(tǒng)
憑借其卓越的性能,該芯片成為許多高功率密度應(yīng)用的理想選擇�
CDR01BX102BMMTMA, CDR01BX102BMTMAT