CDR01BX221BKUS7185是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率開關(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件采用先進的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特點,適用于多種電源管理和功率�(zhuǎn)換場��
該型號屬于N溝道增強型MOSFET,廣泛應(yīng)用于直流-直流�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)�、負載開�(guān)以及各種需要高效功率控制的電子�(shè)備中�
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電�(V_DS)�60V
最大柵源電�(V_GS):�20V
連續(xù)漏極電流(I_D)�30A
�(dǎo)通電�(R_DS(on))�2.2mΩ(在V_GS=10V時)
總功�(P_TOT)�150W
�(jié)溫范�(T_J)�-55� to +175�
封裝形式:TO-247
1. 極低的導(dǎo)通電�,有效降低功率損��
2. 高開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
3. 強大的散熱能力,支持長時間穩(wěn)定運��
4. �(yōu)異的雪崩耐量能力,提高了系統(tǒng)的可靠��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
6. 良好的靜電防護性能,提升了使用中的安全��
該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率�(zhuǎn)��
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器(DC-DC Converter)的核心元件�
3. 各類電機�(qū)動電�,包括步進電機和無刷直流電機�
4. 高效負載開關(guān),用于筆記本電腦和服�(wù)器電源管��
5. 太陽能逆變器及工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊�
6. 電動汽車(EV)和混合動力汽�(HEV)的電池管理系�(tǒng)(BMS)及電機控制器��
CDR01BX221BKUS7190, IRF540N, FDP029N06L