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CDR31BP131BKZMAT 發(fā)布時間 時間�2025/5/31 1:55:23 查看 閱讀�14

CDR31BP131BKZMAT 是一款基于碳化硅 (SiC) 技術的 MOSFET 功率晶體�,廣泛應用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動和工業(yè)控制等領�。該器件采用先進的封裝技�,能夠提供出色的熱性能和電氣性能,同時支持高頻開關操作以減少系統(tǒng)損��
  其內(nèi)部結(jié)構經(jīng)過優(yōu)化設�,能夠在高電壓條件下保持�(wěn)定運行,并具備低導通電阻特�,從而提高整體系�(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:1700V
  連續(xù)漏極電流�15A
  導通電阻:80mΩ
  柵極電荷�120nC
  總電容:35pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝類型:D2PAK

特�

CDR31BP131BKZMAT 具有以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力,適合高壓應用場�,例如電動汽車充電設備和太陽能逆變��
  2. 低導通電阻確保在大電流應用中降低功��
  3. 快速開關速度和低柵極電荷有助于減少開關損�,提升效��
  4. 碳化硅材料提供卓越的高溫�(wěn)定�,適用于嚴苛�(huán)��
  5. 封裝形式具備良好的散熱性能,便于集成到緊湊型設計中�
  6. 工作溫度范圍寬廣,滿足極端條件下的使用需��

應用

該功� MOSFET 廣泛應用于多種高性能電力電子設備�,包括但不限于:
  1. 電動車車載充電器 (OBC) � DC/DC �(zhuǎn)換器�
  2. 太陽能光伏并�(wǎng)逆變器及儲能系統(tǒng)�
  3. 不間斷電� (UPS) 和服務器電源�
  4. 工業(yè)電機�(qū)動和變頻控制��
  5. 高頻軟開關電�,如 LLC 或諧振變換器�
  6. 智能電網(wǎng)相關基礎設施中的功率�(diào)節(jié)裝置�

替代型號

CDR31BP131BKZMA, CDR31BP131BKZM, STGHB131DF2P, FGH15N1700SMD

cdr31bp131bkzmat參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容130 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)BP
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級-
  • 應用高可靠�
  • 故障�M�1%�
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"�1.30mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-