CDR31BP131BKZMAT 是一款基于碳化硅 (SiC) 技術的 MOSFET 功率晶體�,廣泛應用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動和工業(yè)控制等領�。該器件采用先進的封裝技�,能夠提供出色的熱性能和電氣性能,同時支持高頻開關操作以減少系統(tǒng)損��
其內(nèi)部結(jié)構經(jīng)過優(yōu)化設�,能夠在高電壓條件下保持�(wěn)定運行,并具備低導通電阻特�,從而提高整體系�(tǒng)效率�
最大漏源電壓:1700V
連續(xù)漏極電流�15A
導通電阻:80mΩ
柵極電荷�120nC
總電容:35pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝類型:D2PAK
CDR31BP131BKZMAT 具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力,適合高壓應用場�,例如電動汽車充電設備和太陽能逆變��
2. 低導通電阻確保在大電流應用中降低功��
3. 快速開關速度和低柵極電荷有助于減少開關損�,提升效��
4. 碳化硅材料提供卓越的高溫�(wěn)定�,適用于嚴苛�(huán)��
5. 封裝形式具備良好的散熱性能,便于集成到緊湊型設計中�
6. 工作溫度范圍寬廣,滿足極端條件下的使用需��
該功� MOSFET 廣泛應用于多種高性能電力電子設備�,包括但不限于:
1. 電動車車載充電器 (OBC) � DC/DC �(zhuǎn)換器�
2. 太陽能光伏并�(wǎng)逆變器及儲能系統(tǒng)�
3. 不間斷電� (UPS) 和服務器電源�
4. 工業(yè)電機�(qū)動和變頻控制��
5. 高頻軟開關電�,如 LLC 或諧振變換器�
6. 智能電網(wǎng)相關基礎設施中的功率�(diào)節(jié)裝置�
CDR31BP131BKZMA, CDR31BP131BKZM, STGHB131DF2P, FGH15N1700SMD