CDR31BP131BKZRAT 是一款由安森美(ON Semiconductor)生�(chǎn)的MOSFET功率晶體�,采用TO-263-7封裝形式。該器件適用于高效率、高性能的電源管理應(yīng)�,例如開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)器和�(fù)載切換等�(chǎng)��
CDR31BP131BKZRAT的主要特�(diǎn)包括低導(dǎo)通電阻、高電流處理能力和出色的熱性能。其�(shè)�(jì)旨在�(yōu)化功率轉(zhuǎn)換系�(tǒng)中的能量損�,并提供更高的可靠性與耐用性�
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�150V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�28A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.9mΩ(在Vgs=10V�(shí)�
總功�(Ptot)�170W
工作溫度范圍(Ta)�-55� � +175�
封裝形式:TO-263-7
CDR31BP131BKZRAT具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�(Rds(on))確保了更低的能量損�,從而提高了整體效率�
2. 高額定電流能力使其適合于大功率應(yīng)用�
3. 采用TO-263-7封裝,具備良好的散熱性能,有助于提高系統(tǒng)的熱�(wěn)定��
4. 較寬的工作溫度范圍使它能夠在惡劣�(huán)境條件下可靠�(yùn)��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)性要��
6. �(nèi)置反向二極管功能,可減少外部元件�(shù)量并�(jiǎn)化電路設(shè)�(jì)�
CDR31BP131BKZRAT廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的功率�(zhuǎn)換級(jí)�
2. 直流/直流(DC-DC)�(zhuǎn)換器和降�/升壓�(diào)節(jié)��
3. 電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路�
4. 各類工業(yè)�(shè)備中的負(fù)載切��
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控��
6. 電信和服�(wù)器電源模��
7. 汽車電子中的啟動(dòng)/停止系統(tǒng)及其它相�(guān)�(yīng)用�
CDR31BP130BZ, IRF3205, AO3400A