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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CDR31BP131BKZRAT

CDR31BP131BKZRAT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 18:56:21 查看 閱讀�14

CDR31BP131BKZRAT 是一款由安森美(ON Semiconductor)生�(chǎn)的MOSFET功率晶體�,采用TO-263-7封裝形式。該器件適用于高效率、高性能的電源管理應(yīng)�,例如開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)器和�(fù)載切換等�(chǎng)��
  CDR31BP131BKZRAT的主要特�(diǎn)包括低導(dǎo)通電阻、高電流處理能力和出色的熱性能。其�(shè)�(jì)旨在�(yōu)化功率轉(zhuǎn)換系�(tǒng)中的能量損�,并提供更高的可靠性與耐用性�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�150V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�28A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4.9mΩ(在Vgs=10V�(shí)�
  總功�(Ptot)�170W
  工作溫度范圍(Ta)�-55� � +175�
  封裝形式:TO-263-7

特�

CDR31BP131BKZRAT具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�(Rds(on))確保了更低的能量損�,從而提高了整體效率�
  2. 高額定電流能力使其適合于大功率應(yīng)用�
  3. 采用TO-263-7封裝,具備良好的散熱性能,有助于提高系統(tǒng)的熱�(wěn)定��
  4. 較寬的工作溫度范圍使它能夠在惡劣�(huán)境條件下可靠�(yùn)��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)性要��
  6. �(nèi)置反向二極管功能,可減少外部元件�(shù)量并�(jiǎn)化電路設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

CDR31BP131BKZRAT廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的功率�(zhuǎn)換級(jí)�
  2. 直流/直流(DC-DC)�(zhuǎn)換器和降�/升壓�(diào)節(jié)��
  3. 電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路�
  4. 各類工業(yè)�(shè)備中的負(fù)載切��
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控��
  6. 電信和服�(wù)器電源模��
  7. 汽車電子中的啟動(dòng)/停止系統(tǒng)及其它相�(guān)�(yīng)用�

替代型號(hào)

CDR31BP130BZ, IRF3205, AO3400A

cdr31bp131bkzrat參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容130 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)BP
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�高可靠�
  • 故障�R�0.01%�
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"�1.30mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-