CDR31BP270BJZSAT是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應用于開關電源、電機驅(qū)動和逆變器等領域。該器件采用先進的半導體制造工�,具備低導通電阻和高效率的特點,能夠顯著降低系�(tǒng)能耗并提升整體性能�
這款MOSFET屬于N溝道增強型器�,適合高頻開關應用場�。其封裝形式為TO-263(D2PAK�,具有出色的散熱性能和可靠性�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�27A
導通電阻:0.08Ω
柵極電荷�40nC
輸入電容�2000pF
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
封裝形式:TO-263
CDR31BP270BJZSAT的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓:能夠承受高達650V的漏源電�,適用于高壓�(huán)境下的電路設��
2. 低導通電阻:僅為0.08Ω,在大電流應用中可有效減少功��
3. 快速開關能力:較小的柵極電荷使其具備快速開關特�,降低開關損耗�
4. 高可靠性:�(jīng)過嚴格的�(zhì)量測�,確保在極端溫度條件下仍能穩(wěn)定運��
5. 緊湊封裝:TO-263封裝既保證了良好的散熱性能,又節(jié)省了PCB空間�
CDR31BP270BJZSAT廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源:用于AC-DC�(zhuǎn)換器、DC-DC變換器等場景,提供高效的功率�(zhuǎn)��
2. 電機�(qū)動:支持各種類型的電機控�,如步進電�、直流無刷電機等�
3. 逆變器:在太陽能逆變器和其他電力電子設備中實�(xiàn)能量�(zhuǎn)��
4. 工業(yè)自動化:用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的負載切換和保護功能�
5. 汽車電子:適用于車載充電�、電動助力轉(zhuǎn)向系�(tǒng)等汽車相關應��
IRFP260N
FDP069N06L
STP27NF06