CDR31BP271BKUS7185 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)控制等領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)效率并降低功��
這款功率MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器�,適用于多種高壓、大電流�(chǎng)�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器和�(fù)載開(kāi)�(guān)�。其封裝形式為表面貼裝類�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和散熱管��
型號(hào):CDR31BP271BKUS7185
類型:N溝道功率MOSFET
最大漏源電�(Vds)�700V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�9.4A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.5Ω(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
總功�(Ptot)�160W
工作溫度范圍(Top)�-55°C�+175°C
封裝:TO-247-3
CDR31BP271BKUS7185具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�(Rds(on)),可以有效減少導(dǎo)通損�,提高整體效��
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)�,減少開(kāi)�(guān)損耗�
3. �(qiáng)化的雪崩能量耐受能力,確保在異常條件下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)��
4. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,增�(qiáng)抗靜電能力,提高可靠��
5. 良好的熱性能,即使在高功率密度環(huán)境下也能維持較低�(jié)��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì),滿足國(guó)際法�(guī)要求�
7. 寬泛的工作溫度范�,支持從低溫到高溫的各種極端�(huán)境使用�
CDR31BP271BKUS7185 可以用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主功率級(jí)�(kāi)�(guān)元件�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(kāi)�(guān),如步�(jìn)電機(jī)、無(wú)刷直流電�(jī)��
3. 太陽(yáng)能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模��
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)或繼電器替代方案�
5. UPS不間斷電源系�(tǒng)中的電池充放電管理�
6. 各種需要高壓大電流處理能力的電子電路中作為核心功率器件�
CDR31BP271BKUS7184, IRFP460, STP75N10F7