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CDR31BP271BKUS7185 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/31 0:53:52 查看 閱讀:10

CDR31BP271BKUS7185 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)控制等領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提升系統(tǒng)效率并降低功耗。
  這款功率MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器件,適用于多種高壓、大電流場(chǎng)景,例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器和負(fù)載開(kāi)關(guān)等。其封裝形式為表面貼裝類型,便于自動(dòng)化生產(chǎn)和散熱管理。

參數(shù)

型號(hào):CDR31BP271BKUS7185
  類型:N溝道功率MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):700V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):9.4A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.5Ω(典型值,在Vgs=10V時(shí))
  總功耗(Ptot):160W
  工作溫度范圍(Top):-55°C至+175°C
  封裝:TO-247-3

特性

CDR31BP271BKUS7185具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可以有效減少導(dǎo)通損耗,提高整體效率。
  2. 高速開(kāi)關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合,減少開(kāi)關(guān)損耗。
  3. 強(qiáng)化的雪崩能量耐受能力,確保在異常條件下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
  4. 內(nèi)置ESD保護(hù)電路,增強(qiáng)抗靜電能力,提高可靠性。
  5. 良好的熱性能,即使在高功率密度環(huán)境下也能維持較低結(jié)溫。
  6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì),滿足國(guó)際法規(guī)要求。
  7. 寬泛的工作溫度范圍,支持從低溫到高溫的各種極端環(huán)境使用。

應(yīng)用

CDR31BP271BKUS7185 可以用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的主功率級(jí)開(kāi)關(guān)元件。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率開(kāi)關(guān),如步進(jìn)電機(jī)、無(wú)刷直流電機(jī)等。
  3. 太陽(yáng)能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)或繼電器替代方案。
  5. UPS不間斷電源系統(tǒng)中的電池充放電管理。
  6. 各種需要高壓大電流處理能力的電子電路中作為核心功率器件。

替代型號(hào)

CDR31BP271BKUS7184, IRFP460, STP75N10F7

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cdr31bp271bkus7185參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價(jià)格400 : ¥6.92835卷帶(TR)
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容270 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)BP
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等級(jí)-
  • 應(yīng)用高可靠性
  • 故障率S(0.001%)
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"(1.30mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-