CDR31BP271BKUS7185 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)控制等領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提升系統(tǒng)效率并降低功耗。
這款功率MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器件,適用于多種高壓、大電流場(chǎng)景,例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器和負(fù)載開(kāi)關(guān)等。其封裝形式為表面貼裝類型,便于自動(dòng)化生產(chǎn)和散熱管理。
型號(hào):CDR31BP271BKUS7185
類型:N溝道功率MOSFET
最大漏源電壓(Vds):700V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):9.4A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.5Ω(典型值,在Vgs=10V時(shí))
總功耗(Ptot):160W
工作溫度范圍(Top):-55°C至+175°C
封裝:TO-247-3
CDR31BP271BKUS7185具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可以有效減少導(dǎo)通損耗,提高整體效率。
2. 高速開(kāi)關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合,減少開(kāi)關(guān)損耗。
3. 強(qiáng)化的雪崩能量耐受能力,確保在異常條件下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 內(nèi)置ESD保護(hù)電路,增強(qiáng)抗靜電能力,提高可靠性。
5. 良好的熱性能,即使在高功率密度環(huán)境下也能維持較低結(jié)溫。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì),滿足國(guó)際法規(guī)要求。
7. 寬泛的工作溫度范圍,支持從低溫到高溫的各種極端環(huán)境使用。
CDR31BP271BKUS7185 可以用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的主功率級(jí)開(kāi)關(guān)元件。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率開(kāi)關(guān),如步進(jìn)電機(jī)、無(wú)刷直流電機(jī)等。
3. 太陽(yáng)能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)或繼電器替代方案。
5. UPS不間斷電源系統(tǒng)中的電池充放電管理。
6. 各種需要高壓大電流處理能力的電子電路中作為核心功率器件。
CDR31BP271BKUS7184, IRFP460, STP75N10F7