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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CDR31BP271BKUS7185

CDR31BP271BKUS7185 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/31 0:53:52 查看 閱讀�10

CDR31BP271BKUS7185 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)控制等領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)效率并降低功��
  這款功率MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器�,適用于多種高壓、大電流�(chǎng)�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器和�(fù)載開(kāi)�(guān)�。其封裝形式為表面貼裝類�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和散熱管��

參數(shù)

型號(hào):CDR31BP271BKUS7185
  類型:N溝道功率MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�700V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�9.4A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�0.5Ω(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  總功�(Ptot)�160W
  工作溫度范圍(Top)�-55°C�+175°C
  封裝:TO-247-3

特�

CDR31BP271BKUS7185具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�(Rds(on)),可以有效減少導(dǎo)通損�,提高整體效��
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)�,減少開(kāi)�(guān)損耗�
  3. �(qiáng)化的雪崩能量耐受能力,確保在異常條件下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)��
  4. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,增�(qiáng)抗靜電能力,提高可靠��
  5. 良好的熱性能,即使在高功率密度環(huán)境下也能維持較低�(jié)��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì),滿足國(guó)際法�(guī)要求�
  7. 寬泛的工作溫度范�,支持從低溫到高溫的各種極端�(huán)境使用�

�(yīng)�

CDR31BP271BKUS7185 可以用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主功率級(jí)�(kāi)�(guān)元件�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(kāi)�(guān),如步�(jìn)電機(jī)、無(wú)刷直流電�(jī)��
  3. 太陽(yáng)能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)或繼電器替代方案�
  5. UPS不間斷電源系�(tǒng)中的電池充放電管理�
  6. 各種需要高壓大電流處理能力的電子電路中作為核心功率器件�

替代型號(hào)

CDR31BP271BKUS7184, IRFP460, STP75N10F7

cdr31bp271bkus7185推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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cdr31bp271bkus7185參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�400 : �6.92835卷帶(TR�
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容270 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)BP
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�高可靠�
  • 故障�S�0.001%�
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"�1.30mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-