CDR31BP300BFZPAT是一種高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器以及其他需要高效能功率控制的場(chǎng)景。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻和高耐壓能力,可顯著提高系統(tǒng)的效率并減少熱量產(chǎn)生。
其封裝形式為表面貼裝類(lèi)型,適合自動(dòng)化生產(chǎn)和緊湊型設(shè)計(jì)需求。這種芯片在高頻工作條件下表現(xiàn)出色,能夠有效降低開(kāi)關(guān)損耗。
型號(hào):CDR31BP300BFZPAT
類(lèi)型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds):300V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
持續(xù)漏極電流(Id):16A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.18Ω(典型值,在Vgs=10V時(shí))
總功耗(Ptot):400W
結(jié)溫范圍(Tj):-55°C至+175°C
封裝:TO-263(表面貼裝)
CDR31BP300BFZPAT具備以下顯著特點(diǎn):
1. 高擊穿電壓(300V),確保在高壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
2. 極低的導(dǎo)通電阻(0.18Ω),從而減少導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗。
3. 快速開(kāi)關(guān)速度,有助于降低開(kāi)關(guān)損耗并在高頻應(yīng)用中保持高效率。
4. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)對(duì)異常條件的耐受性。
5. 支持表面貼裝技術(shù)(SMT),簡(jiǎn)化生產(chǎn)流程并提升可靠性。
6. 廣泛的工作溫度范圍,適應(yīng)各種惡劣環(huán)境。
CDR31BP300BFZPAT適用于多種功率轉(zhuǎn)換和控制場(chǎng)合,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的功率級(jí)開(kāi)關(guān)。
2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路。
3. 太陽(yáng)能逆變器及其他可再生能源系統(tǒng)。
4. 汽車(chē)電子設(shè)備,例如電動(dòng)車(chē)窗和座椅調(diào)節(jié)模塊。
5. LED照明驅(qū)動(dòng)電路。
6. 各類(lèi)AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換器。
IRF840, STP16NF30L