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CDR31BP300BFZPAT 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/23 16:29:01 查看 閱讀:11

CDR31BP300BFZPAT是一種高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器以及其他需要高效能功率控制的場(chǎng)景。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻和高耐壓能力,可顯著提高系統(tǒng)的效率并減少熱量產(chǎn)生。
  其封裝形式為表面貼裝類(lèi)型,適合自動(dòng)化生產(chǎn)和緊湊型設(shè)計(jì)需求。這種芯片在高頻工作條件下表現(xiàn)出色,能夠有效降低開(kāi)關(guān)損耗。

參數(shù)

型號(hào):CDR31BP300BFZPAT
  類(lèi)型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):300V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  持續(xù)漏極電流(Id):16A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.18Ω(典型值,在Vgs=10V時(shí))
  總功耗(Ptot):400W
  結(jié)溫范圍(Tj):-55°C至+175°C
  封裝:TO-263(表面貼裝)

特性

CDR31BP300BFZPAT具備以下顯著特點(diǎn):
  1. 高擊穿電壓(300V),確保在高壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(0.18Ω),從而減少導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗。
  3. 快速開(kāi)關(guān)速度,有助于降低開(kāi)關(guān)損耗并在高頻應(yīng)用中保持高效率。
  4. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)對(duì)異常條件的耐受性。
  5. 支持表面貼裝技術(shù)(SMT),簡(jiǎn)化生產(chǎn)流程并提升可靠性。
  6. 廣泛的工作溫度范圍,適應(yīng)各種惡劣環(huán)境。

應(yīng)用

CDR31BP300BFZPAT適用于多種功率轉(zhuǎn)換和控制場(chǎng)合,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的功率級(jí)開(kāi)關(guān)。
  2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路。
  3. 太陽(yáng)能逆變器及其他可再生能源系統(tǒng)。
  4. 汽車(chē)電子設(shè)備,例如電動(dòng)車(chē)窗和座椅調(diào)節(jié)模塊。
  5. LED照明驅(qū)動(dòng)電路。
  6. 各類(lèi)AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換器。

替代型號(hào)

IRF840, STP16NF30L

cdr31bp300bfzpat參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容30 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)BP
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等級(jí)-
  • 應(yīng)用高可靠性
  • 故障率P(0.1%)
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"(1.30mm)
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-