時間：2025/6/6 11:46:14
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CDR31BP300BKZRAT是一款高性能的MOSFET功率晶體管，主要應(yīng)用于高功率開關(guān)電源、電機驅(qū)動和逆變器等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的封裝技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開關(guān)特性。
它屬于N溝道增強型MOSFET，廣泛用于需要高效能和穩(wěn)定性的電力電子設(shè)備中。
型號：CDR31BP300BKZRAT
類型：N-Channel MOSFET
額定電壓：650V
額定電流：300A
導(dǎo)通電阻：1.8mΩ（典型值）
柵極電荷：250nC（最大值）
功耗：240W
工作溫度范圍：-55℃至+175℃
封裝形式：D2PAK-7
CDR31BP300BKZRAT具備以下顯著特性：
1. 高擊穿電壓確保了在高壓應(yīng)用中的可靠性和穩(wěn)定性。
2. 極低的導(dǎo)通電阻減少了功率損耗，提升了整體效率。
3. 快速開關(guān)速度降低了開關(guān)損耗，適合高頻應(yīng)用場景。
4. 良好的熱性能設(shè)計使器件能夠在高溫環(huán)境下長時間工作。
5. 穩(wěn)定的動態(tài)特性使其適用于各種復(fù)雜負(fù)載條件下的切換操作。
6. 先進(jìn)的封裝工藝提高了散熱能力和電氣性能。
此外，該器件還具有短路保護功能，能夠有效防止因意外情況導(dǎo)致的損壞。
CDR31BP300BKZRAT主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）
2. 太陽能逆變器
3. 電動汽車（EV）和混合動力汽車（HEV）中的電機控制器
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的變頻驅(qū)動器
5. 不間斷電源（UPS）系統(tǒng)
6. 高效DC-DC轉(zhuǎn)換器
其卓越的性能和可靠性使得這款MOSFET成為高功率密度設(shè)計的理想選擇。
CDR31BP250BKZRAT
IRFP260N
STP300N60E
FDP18N65C3
