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CDR31BP431BKZMAT 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/23 16:21:06 查看 閱讀:12

CDR31BP431BKZMAT是一款肖特基二極管陣列芯片,采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造。該芯片廣泛應(yīng)用于高速開關(guān)電路、整流電路和保護(hù)電路中。由于其低正向電壓降和快速反向恢復(fù)時(shí)間的特點(diǎn),它在高頻和高效率應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
  肖特基二極管陣列的結(jié)構(gòu)使其能夠同時(shí)處理多個(gè)信號通路,從而簡化了復(fù)雜電路的設(shè)計(jì),并減少了元器件數(shù)量。這種設(shè)計(jì)在多通道電源管理、數(shù)據(jù)通信接口保護(hù)以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中非常常見。

參數(shù)

額定電流:2A
  最大反向電壓:40V
  正向電壓降:0.45V(典型值)
  反向恢復(fù)時(shí)間:小于4ns
  工作溫度范圍:-55℃至+175℃
  封裝形式:QFN16

特性

CDR31BP431BKZMAT具有低功耗、高效能和高可靠性的特點(diǎn)。它的主要特性包括:
  1. 超低的正向壓降,可減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
  2. 極快的反向恢復(fù)時(shí)間,適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。
  3. 高溫穩(wěn)定性,能夠在極端溫度條件下保持性能。
  4. 小型化封裝設(shè)計(jì),適合空間受限的應(yīng)用場景。
  5. 低漏電流,保證在待機(jī)或低功耗模式下的表現(xiàn)。
  這些特性使該芯片成為現(xiàn)代電子設(shè)備的理想選擇,尤其是在對速度和效率要求較高的應(yīng)用中。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流。
  2. USB接口保護(hù)電路,防止過壓和浪涌損害。
  3. 多通道電源管理模塊。
  4. 數(shù)據(jù)通信設(shè)備中的信號隔離和保護(hù)。
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品如智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦的充電保護(hù)電路。
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高頻開關(guān)電路。
  由于其出色的性能,這款芯片已經(jīng)成為許多高端應(yīng)用中的首選解決方案。

替代型號

CDR31BP431BKZMATN1, CDR31BP431BKZMATN2, CDR31BP431BKZMATN3

cdr31bp431bkzmat參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容430 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)BP
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等級-
  • 應(yīng)用高可靠性
  • 故障率M(1%)
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"(1.30mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-