時間：2025/5/21 8:44:53
閱讀：16
CDR31BP511AJZPAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該器件采用先進的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點，能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
這款功率MOSFET屬于N溝道增強型器件，其設(shè)計旨在優(yōu)化開關(guān)性能和降低功耗。此外，它還具備出色的熱特性和抗浪涌能力，非常適合在嚴苛的工業(yè)環(huán)境中使用。
類型：N溝道增強型 MOSFET
最大漏源電壓(Vds)：60V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
連續(xù)漏極電流(Id)：51A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：1.8mΩ
柵極電荷(Qg)：94nC
開關(guān)速度：快速開關(guān)
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：TO-247
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可以有效減少傳導(dǎo)損耗，提升系統(tǒng)效率。
2. 高電流處理能力，峰值電流高達51A，適用于大功率應(yīng)用場景。
3. 快速開關(guān)特性，支持高頻操作，有助于減小無源元件體積并提高功率密度。
4. 出色的熱性能，能夠承受較高的結(jié)溫，確保長時間穩(wěn)定運行。
5. 具備優(yōu)異的抗靜電能力和魯棒性，適合復(fù)雜電磁環(huán)境下的應(yīng)用。
6. 寬廣的工作溫度范圍，適應(yīng)從極寒到高溫的各種工況。
7. 封裝牢固可靠，便于散熱設(shè)計與模塊化集成。
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管。
2. 電機驅(qū)動電路中的功率級控制元件。
3. DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心功率開關(guān)。
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切換。
5. 太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換。
6. 汽車電子系統(tǒng)中的大電流開關(guān)應(yīng)用。
7. UPS不間斷電源以及電池管理系統(tǒng)中的功率管理單元。
CDR31BP501AJZPAT, IRF540N, FDP55N06L
