CDR31BP561AFZPAT 是一款高性能的功率MOSFET芯片,屬于N溝道增強型器�。該器件采用先進的制造工�,能夠在高頻和高效率應用中提供卓越的性能表現(xiàn)。其主要特點包括低導通電阻、快速開關速度以及出色的熱�(wěn)定�,適用于各種電源管理場景�
型號:CDR31BP561AFZPAT
類型:N溝道增強型MOSFET
漏源極電�(Vds)�60V
柵源極電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�14A
導通電�(Rds(on))�3.9mΩ(典型�,在Vgs=10V條件下)
總功�(Ptot)�178W
結溫范圍(Tj)�-55℃至175�
封裝形式:TO-247-3
CDR31BP561AFZPAT具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電�(3.9mΩ),有助于減少傳導損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 快速開關能力,適合高頻操作�(huán)�,能夠有效降低開關損��
3. 高耐壓能力,額定漏源極電壓�60V,適用于多種高壓應用場景�
4. 大電流處理能�,最大連續(xù)漏極電流可達14A,滿足大功率需求�
5. 出色的熱�(wěn)定�,可承受較高的結溫范�(-55℃至175�),確保在極端條件下的可靠性�
6. 采用TO-247-3封裝形式,便于散熱設計和電路板布局�
7. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛材��
CDR31BP561AFZPAT廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的功率轉換模塊�
2. 電機驅動器,用于控制直流無刷電機或步進電��
3. 工業(yè)自動化設備中的負載開關和保護電路�
4. 電動車充電站和逆變器中的高效功率變換電��
5. LED照明驅動器,提供�(wěn)定的電流輸出以確保亮度種需要高效功率傳輸和快速響應的電子設備�
CDR31BP560AFZPAT, IRFZ44N, FDP5570N