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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CDR31BP621AFZSAT

CDR31BP621AFZSAT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 13:50:29 查看 閱讀�21

CDR31BP621AFZSAT是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等電力電子�(lǐng)域。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高效率和優(yōu)異的熱性能等特�(diǎn),能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和小型化的需求�
  此型�(hào)屬于CDR系列,主要以N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管為特點(diǎn),適用于中高壓應(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(V_DS)�650V
  最大柵源電�(V_GS):�20V
  連續(xù)漏極電流(I_D)�18A
  �(dǎo)通電�(R_DS(on))�0.25Ω(典型值,V_GS=10V�(shí)�
  功�(P_TOT)�150W
  �(jié)溫范�(T_J)�-55°C�+150°C
  封裝形式:TO-247

特�

CDR31BP621AFZSAT具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,在相同電壓等級(jí)下可以有效減少傳�(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,具備較小的輸入電容和輸出電�,適合高頻工作環(huán)境�
  3. �(qiáng)大的雪崩能力,能夠在異常條件下提供更高的可靠��
  4. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,增�(qiáng)了器件在惡劣�(huán)境中的抗靜電能力�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持表面貼裝工藝,便于大�(guī)模生�(chǎn)�

�(yīng)�

該型�(hào)的功率MOSFET適用于多種應(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流��
  2. 工業(yè)控制�(lǐng)域中的電�(jī)�(qū)�(dòng)與逆變器模��
  3. 光伏逆變器和不間斷電�(UPS)系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換級(jí)�
  4. 電動(dòng)汽車(chē)(EV)及混合動(dòng)力汽�(chē)(HEV)的車(chē)載充電器和DC-DC�(zhuǎn)換器�
  5. 各類消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP16NF50
  FDP5500
  IXTN100N65T2

cdr31bp621afzsat參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容620 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)BP
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�高可靠�
  • 故障�S�0.001%�
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"�1.30mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-