CDR31BP621AFZSAT是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等電力電子�(lǐng)域。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高效率和優(yōu)異的熱性能等特�(diǎn),能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和小型化的需求�
此型�(hào)屬于CDR系列,主要以N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管為特點(diǎn),適用于中高壓應(yīng)用場(chǎng)��
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(V_DS)�650V
最大柵源電�(V_GS):�20V
連續(xù)漏極電流(I_D)�18A
�(dǎo)通電�(R_DS(on))�0.25Ω(典型值,V_GS=10V�(shí)�
功�(P_TOT)�150W
�(jié)溫范�(T_J)�-55°C�+150°C
封裝形式:TO-247
CDR31BP621AFZSAT具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,在相同電壓等級(jí)下可以有效減少傳�(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,具備較小的輸入電容和輸出電�,適合高頻工作環(huán)境�
3. �(qiáng)大的雪崩能力,能夠在異常條件下提供更高的可靠��
4. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,增�(qiáng)了器件在惡劣�(huán)境中的抗靜電能力�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持表面貼裝工藝,便于大�(guī)模生�(chǎn)�
該型�(hào)的功率MOSFET適用于多種應(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. 工業(yè)控制�(lǐng)域中的電�(jī)�(qū)�(dòng)與逆變器模��
3. 光伏逆變器和不間斷電�(UPS)系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換級(jí)�
4. 電動(dòng)汽車(chē)(EV)及混合動(dòng)力汽�(chē)(HEV)的車(chē)載充電器和DC-DC�(zhuǎn)換器�
5. 各類消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
IRFZ44N
STP16NF50
FDP5500
IXTN100N65T2