CDR31BX103AKSM 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高效功率晶體�,專為高頻和高功率密度應用設�。該器件采用先進的封裝技�,能夠顯著降低開關損耗并提高系統(tǒng)效率。其典型應用場景包括電源轉換器、DC-DC 轉換器以及射頻功率放大器�。該芯片具備快速開關速度和低導通電阻的特點,從而實�(xiàn)更高的工作效率�
這款 GaN 功率晶體管采用了增強型場效應晶體管(e-mode FET)結�,確保在高頻工作條件下的�(wěn)定性和可靠性�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�20A
導通電阻:100mΩ
柵極閾值電壓:2.5V~4.5V
開關頻率:最高可�5MHz
結溫范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247-3
CDR31BX103AKSM 的主要特性包括:
1. 高效的氮化鎵 (GaN) 材料,提供卓越的開關性能和熱管理能力�
2. 極低的導通電� (Rds(on)) 和柵極電�,減少傳導和開關損耗�
3. 支持高達 5MHz 的開關頻�,適用于高頻電力電子設備�
4. �(nèi)� ESD 保護電路,提升器件的抗靜電能��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛封��
6. 工作溫度范圍寬廣,適應多種惡劣環(huán)境條��
7. 提供出色的熱�(wěn)定性和可靠�,適合長時間運行的應用場景�
CDR31BX103AKSM 廣泛應用于以下領域:
1. 高頻 AC-DC � DC-DC 轉換��
2. 電動汽車充電站中的功率模��
3. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)�
4. �(shù)�(jù)中心電源供應單元 (PSU)�
5. 射頻功率放大器和無線能量傳輸系統(tǒng)�
6. 消費類電子產(chǎn)品中的高效電源適配器�
7. 工業(yè)自動化設備中的驅動電源和控制電路�
CDR31BX103AKS, CDR31BX103AK