時間：2025/5/21 8:47:27
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CDR31BX103AKSM 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高效功率晶體管，專為高頻和高功率密度應用設計。該器件采用先進的封裝技術，能夠顯著降低開關損耗并提高系統(tǒng)效率。其典型應用場景包括電源轉換器、DC-DC 轉換器以及射頻功率放大器等。該芯片具備快速開關速度和低導通電阻的特點，從而實現(xiàn)更高的工作效率。
這款 GaN 功率晶體管采用了增強型場效應晶體管（e-mode FET）結構，確保在高頻工作條件下的穩(wěn)定性和可靠性。
最大漏源電壓：600V
連續(xù)漏極電流：20A
導通電阻：100mΩ
柵極閾值電壓：2.5V~4.5V
開關頻率：最高可達5MHz
結溫范圍：-55℃至+175℃
封裝形式：TO-247-3
CDR31BX103AKSM 的主要特性包括：
1. 高效的氮化鎵 (GaN) 材料，提供卓越的開關性能和熱管理能力。
2. 極低的導通電阻 (Rds(on)) 和柵極電荷，減少傳導和開關損耗。
3. 支持高達 5MHz 的開關頻率，適用于高頻電力電子設備。
4. 內(nèi)置 ESD 保護電路，提升器件的抗靜電能力。
5. 符合 RoHS 標準，環(huán)保無鉛封裝。
6. 工作溫度范圍寬廣，適應多種惡劣環(huán)境條件。
7. 提供出色的熱穩(wěn)定性和可靠性，適合長時間運行的應用場景。
CDR31BX103AKSM 廣泛應用于以下領域：
1. 高頻 AC-DC 和 DC-DC 轉換器。
2. 電動汽車充電站中的功率模塊。
3. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)。
4. 數(shù)據(jù)中心電源供應單元 (PSU)。
5. 射頻功率放大器和無線能量傳輸系統(tǒng)。
6. 消費類電子產(chǎn)品中的高效電源適配器。
7. 工業(yè)自動化設備中的驅動電源和控制電路。
CDR31BX103AKS, CDR31BX103AK
