CDR31BX152BKZRAT 是一款由羅姆(ROHM)生產的功率MOSFET芯片,采用小型化的表面貼裝封裝設�。該型號專為高效率開關應用而優(yōu)�,適用于需要低導通電阻和快速開關速度的場景。其內部結構基于先進的半導體制造工�,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)的整體性能�
CDR31BX152BKZRAT 的主要應用場景包括但不限于電源適配器、DC-DC轉換�、電池充電管理電路以及各種工�(yè)控制設備中的功率開關組件�
最大漏源電壓:150V
連續(xù)漏極電流�2.8A
導通電阻(典型值)�120mΩ
柵極電荷(典型值)�4nC
總功耗:2.7W
工作結溫范圍�-55� � +175�
封裝形式:HFPA2-8B
CDR31BX152BKZRAT 具備以下關鍵特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠在高頻開關條件下有效減少能量損��
2. 高速開關性能,適合要求快速動�(tài)響應的應��
3. 支持寬范圍的工作溫度,確保在極端�(huán)境下仍能保持�(wěn)定運��
4. 內置ESD保護功能,提高了器件的可靠性和抗干擾能��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
6. 緊湊型封�,便于在空間受限的設計中使用�
這款功率MOSFET 芯片廣泛應用于以下領域:
1. 便攜式電子設備的電源管理模塊�
2. 各種類型的DC-DC轉換器和升壓/降壓電路�
3. 開關模式電源(SMPS)設��
4. 工業(yè)自動化設備中的驅動電��
5. 電動工具和家用電器的電機控制部分�
6. 太陽能逆變器以及其他新能源相關產品�
CDR31BX152AKZRA, CDR31BX152CKZRA