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CDR31BX272BMZRAT 發(fā)布時間 時間:2025/5/22 20:03:15 查看 閱讀:9

CDR31BX272BMZRAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和逆變器等電力電子設(shè)備中。該器件采用了先進的溝槽式 MOSFET 技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,從而能夠提高系統(tǒng)效率并降低功耗。
  此芯片適用于高電壓和高電流的應(yīng)用場景,并且其封裝設(shè)計能夠有效增強散熱性能。

參數(shù)

型號:CDR31BX272BMZRAT
  類型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源極擊穿電壓):650V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻):270mΩ
  ID(持續(xù)漏極電流):18A
  Qg(柵極電荷):49nC
  EAS(雪崩能量):1.3J
  封裝:TO-247-3
  工作溫度范圍:-55℃ to +175℃

特性

CDR31BX272BMZRAT 具有以下顯著特點:
  1. 高電壓耐受能力,支持高達 650V 的漏源極電壓,適合于多種高壓應(yīng)用場景。
  2. 極低的導(dǎo)通電阻,僅為 270 毫歐,可以有效減少傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
  3. 快速的開關(guān)速度,得益于較低的柵極電荷(49nC),可減少開關(guān)損耗。
  4. 強大的雪崩能量處理能力,能夠承受 1.3J 的雪崩能量,確保在異常條件下依然保持可靠運行。
  5. 工作溫度范圍寬廣,適應(yīng)從 -55°C 到 +175°C 的極端環(huán)境條件。
  6. TO-247-3 封裝形式提供了良好的散熱性能,便于集成到各類功率電路中。

應(yīng)用

CDR31BX272BMZRAT 被廣泛用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):作為主開關(guān)管或同步整流管,用于實現(xiàn)高效穩(wěn)定的直流變換。
  2. 電機驅(qū)動:適用于工業(yè)控制中的大功率電機驅(qū)動電路,提供精確的電流控制。
  3. 逆變器:在太陽能逆變器和其他類型的逆變器中用作功率轉(zhuǎn)換的核心元件。
  4. UPS 系統(tǒng):為不間斷電源提供可靠的功率切換功能。
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備:例如伺服驅(qū)動器、機器人控制器等需要高功率密度的場合。

替代型號

CDR31BX270BMZRAT, CDR31BX275BMZRAT

cdr31bx272bmzrat參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容2700 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)BX
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等級-
  • 應(yīng)用高可靠性
  • 故障率R(0.01%)
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"(1.30mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-