CDR31BX272BMZRAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和逆變器等電力電子設(shè)備中。該器件采用了先進的溝槽式 MOSFET 技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,從而能夠提高系統(tǒng)效率并降低功耗。
此芯片適用于高電壓和高電流的應(yīng)用場景,并且其封裝設(shè)計能夠有效增強散熱性能。
型號:CDR31BX272BMZRAT
類型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源極擊穿電壓):650V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻):270mΩ
ID(持續(xù)漏極電流):18A
Qg(柵極電荷):49nC
EAS(雪崩能量):1.3J
封裝:TO-247-3
工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
CDR31BX272BMZRAT 具有以下顯著特點:
1. 高電壓耐受能力,支持高達 650V 的漏源極電壓,適合于多種高壓應(yīng)用場景。
2. 極低的導(dǎo)通電阻,僅為 270 毫歐,可以有效減少傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
3. 快速的開關(guān)速度,得益于較低的柵極電荷(49nC),可減少開關(guān)損耗。
4. 強大的雪崩能量處理能力,能夠承受 1.3J 的雪崩能量,確保在異常條件下依然保持可靠運行。
5. 工作溫度范圍寬廣,適應(yīng)從 -55°C 到 +175°C 的極端環(huán)境條件。
6. TO-247-3 封裝形式提供了良好的散熱性能,便于集成到各類功率電路中。
CDR31BX272BMZRAT 被廣泛用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):作為主開關(guān)管或同步整流管,用于實現(xiàn)高效穩(wěn)定的直流變換。
2. 電機驅(qū)動:適用于工業(yè)控制中的大功率電機驅(qū)動電路,提供精確的電流控制。
3. 逆變器:在太陽能逆變器和其他類型的逆變器中用作功率轉(zhuǎn)換的核心元件。
4. UPS 系統(tǒng):為不間斷電源提供可靠的功率切換功能。
5. 工業(yè)自動化設(shè)備:例如伺服驅(qū)動器、機器人控制器等需要高功率密度的場合。
CDR31BX270BMZRAT, CDR31BX275BMZRAT